APM4953
2025-08-25 10:15:26
摘要：APM4953 作为常见的双 N 沟道 MOSFET，凭借其 低导通电阻、高电流承载能力和紧凑封装，成为各种电池管理系统（BMS）、电源模块及消费电子产品中的常用元件。
描述
APM4953 是由 UMW 生产的一款 双 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SO-8 封装。该器件专为负载开关、电源管理以及电机驱动等应用设计，具有 低导通电阻（Rds(on)） 和 快速开关特性，在便携式设备和电源模块中应用广泛。
产品概述
| 产品型号 | APM4953 |
| 制造商 | UMW |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，MOSFET |
| 描述 | MOSFET - 阵列 30V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 8-SOP |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOP |
产品图片
APM4953产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 504pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta） |
主要特点
双 N 沟道 MOSFET，内含两个独立 MOS 管
工作电压：30V（Vds 最大值）
栅极电压：±20V
连续漏极电流：约 6A（每通道，@25℃，受封装限制）
超低 Rds(on)：典型值 25mΩ（Vgs=10V）
高速开关能力，降低功耗
内部无极性保护二极管
应用领域
DC-DC 转换器功率开关
电池保护电路（锂电保护板常用）
负载开关控制
电机驱动、功率管理模块
笔记本电脑与移动设备电源
引脚图及功能
替代型号
如果是 直接替代且最稳妥 → APM4435 / AO4407A
如果要求 高可靠性 → SI4925DY / FDS8958A
如果考虑 长期供应保障 → ON Semi / Toshiba 型号 更合适