IRF9540
2025-08-27 15:44:26
摘要：IRF9540 是一款 P沟道增强型功率 MOSFET，由 International Rectifier（现 Infineon 子公司） 生产，广泛应用于功率管理、电源开关、电机驱动和负载开关等场合。它具有低导通电阻、耐高压和大电流能力，适合直流-直流转换和功率控制电路。
什么是IRF9540？
IRF9540 属于 P沟道功率 MOSFET，封装常见为 TO-220，可承受最大漏源电压 -100V，连续漏极电流可达 -23A（Tc=25℃）。该器件导通电阻低，开关速度快，适用于高效率开关电源和电机驱动控制电路。
IRF9540产品图片
IRF9540中文参数
| 产品型号 | IRF9540 |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
IRF9540主要特点
P沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压：-100V
最大连续漏极电流：-23A
低导通电阻 Rds(on)：约 0.117Ω（Vgs=-10V）
高速开关，适合 PWM 控制
TO-220 封装，易于散热
功耗能力强，可配散热片
IRF9540应用领域
电源开关电路（DC-DC 开关转换）
负载开关和功率分配
电机驱动和PWM调速
UPS 和电池管理系统
高功率放大电路
IRF9540引脚图及功能
IRF9540工作原理
IRF9540 为 增强型 P沟道 MOSFET，通过栅极电压控制导通与截止：
导通：当栅极电压相对于源极更负时，沟道形成，漏极到源极电流流通；
关断：当栅极电压接近源极电压时，沟道关闭，电流截止。
因其高输入阻抗，栅极几乎不消耗电流，适合用于开关电路和 PWM 调速控制。
IRF9540用什么型号替代？
常见替代型号包括：
IRF9540N（增强型 P沟道，性能升级版）
STP55PF06（P沟道 MOSFET，可作功率替代）
FQP27P06（TO-220 封装，电流电压相近）
IRF4905（P沟道 MOSFET，适合高电流开关应用）