AON6504
2025-10-10 14:39:09
摘要：AON6504 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关特性，非常适用于高效率的电源管理系统，如同步整流、DC-DC 转换器、电池保护和负载开关电路。
描述
AON6504 采用 DFN5x6 封装，具备优异的导热性能和紧凑的尺寸，适合高密度电路板设计。器件内部采用先进的沟槽结构工艺，确保在较低栅极驱动电压下仍能实现高电流输出和低损耗运行。其设计针对低电压、高效率应用进行了优化，是现代电源设计中常见的主开关或同步整流管之一。
产品概述
| 产品型号 | AON6504 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 51A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6） |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-DFN（5x6） |
产品图片
AON6504产品图片
规格参数
| 产品状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 51A（Ta），85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2719 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 7.3W（Ta），83W（Tc） |
主要特点
N 沟道增强型 MOSFET 结构
低导通电阻，提升系统效率
高速开关能力，降低开关损耗
优异的热性能，支持高功率密度设计
栅极驱动电压兼容逻辑电平控制
封装紧凑（DFN5x6），适合自动化贴装
符合 RoHS 环保与无卤标准
典型应用
同步整流电路
DC-DC 降压或升压转换器
电池管理与保护模块
笔记本电脑与移动设备电源
负载开关与功率控制系统
电动工具与工业控制设备
引脚图及功能
替换型号
AON7403（性能相近的 AOS 替代型号）
AON6508（同系列低电阻版本）
IRLZ44N（逻辑电平兼容替代）
AO4407A（适用于低压大电流应用的替代）
SI4848DY（相似封装与电气特性替代）