IRF640
2025-07-01 15:51:31
摘要：IRF640 是一款 N沟道功率MOSFET，适用于 中高压开关电路，常见于 电源转换、电机驱动、音频放大器 等应用。
描述
IRF640 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 International Rectifier（现为 Infineon Technologies 英飞凌）设计制造，广泛用于中高压开关电路中。其典型耐压为 200V，连续漏极电流为 18A，导通电阻低，适用于开关电源、电机驱动、UPS、电焊机和高频转换电路等场景。
该器件采用 TO-220 标准封装，适合使用散热片进行大电流散热处理。
产品概述
| 产品型号 | IRF640 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 基本产品编号 | IRF640 |
产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 受 REACH影响 |
特点
中高压承载能力（200V）
低导通电阻，发热量低
大电流处理能力（18A）
高速开关特性，适合高频电路
高输入阻抗，驱动功耗小
TO-220 封装易于散热
典型应用领域
开关电源（SMPS）
DC-DC 转换器
高频逆变器
电动工具、电机驱动电路
灯光控制、电焊机电源
高频大功率脉冲输出系统
引脚图及功能
G：Gate（栅极）
D：Drain（漏极）
S：Source（源极）
封装与散热建议
封装类型：TO-220AB
安装类型：穿孔式封装
散热建议：推荐使用铝散热片并涂抹导热硅脂
替代型号
| 替代型号 | 特性说明 |
| IRF840 | 电压更高（500V），电流略低 |
| STP20NF20 | ST 公司兼容型号，导通电阻更低 |
| IRF630 | 电压更低（200V），电流较小 |
| FQP13N20 | Fairchild 兼容型号，封装略小 |
环保与合规
RoHS 符合
可选无铅（Pb-Free）环保版本
部分型号通过 UL 和 AEC-Q101（视品牌型号而定）
产品制造商介绍
Vishay Siliconix 是全球知名半导体制造商 Vishay Intertechnology, Inc.（威世科技）的全资子公司，专注于设计与生产高性能的功率MOSFET、模拟开关、线性IC 和电源管理芯片。Siliconix 以其高品质、可靠性和广泛的产品线而在全球电子行业中享有盛誉，尤其在汽车、工业、电信、便携设备、电源管理等应用领域表现卓越。