型号等于：	7C256 (1) AS705 (1)
型号起始：	7C256* (7) A-S7C* (1) A2040* (5) A2811* (8) A2812* (8) A2814* (8) AS29C* (4) AS29F* (123) AS29L* (89) AS3LC* (7) AS3V2* (7) AS4C1* (93) AS4C2* (51) AS4C3* (25) AS4C4* (59) AS4C5* (6) AS4C6* (28) AS4C8* (32) AS4CM* (3) AS4LC* (81) AS4SC* (2) AS5LC* (1) AS62V* (2) AS6C1* (13) AS6C2* (1) AS6C3* (2) AS6C4* (8) AS6C6* (9) AS6C8* (11) AS6UA* (69) AS6UB* (8)
所属品牌：	不限 ALSC(7078)
功能分类：	不限静态存储器(3111) 时钟驱动器(671) 逻辑集成电路(895) 光电二极管(2856) 存储(1104) 内存集成电路(1993) 时钟(923) 晶体(786) 时钟发生器(421) 微控制器和处理器(410) 外围集成电路(787) 驱动(257) 动态存储器(269) 电源电路(348) 电源管理电路(334) 监控(363) 输入元件(157) ISM频段(361) 可编程只读存储器(104) 电动程控只读存储器(104) 电可擦编程只读存储器(104) CD(142) 电池(50) 开关(68) 闪存(64) 双倍数据速率(56) 电脑(59) 控制器(28) 微控制器(14) 复位电路(26) 稳压器(14) 开关式稳压器或控制器(14) 开关式控制器(14) 信息通信管理(13) 触发器(19) 锁存器(12) 电视(19) PC(35) 输出元件(14) 倍频器(10)

ALSC - 型号起始; 总记录数：7078

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS29F011-120TC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32	光电二极管内存集成电路
		AS29F011-150LC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32	内存集成电路
		AS29F011-150PC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 128KX8, 150ns, PDIP32	光电二极管内存集成电路
		AS29F011-150TC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32	光电二极管内存集成电路
		AS29F011-70PC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 128KX8, 70ns, PDIP32	光电二极管内存集成电路
		AS29F011-90TC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32	光电二极管内存集成电路
		AS29F040 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-120LC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-120LI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-120TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-120TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-150LC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-150LI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-150T 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-150TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-150TI 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 512KX8, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32	光电二极管内存集成电路
		AS29F040-55LC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-55LI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-55TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-55TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-70LC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-70LI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-70TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-70TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-90LC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-90LI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-90TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F040-90TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29F080-120SC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44	光电二极管
		AS29F080-120SI 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44	光电二极管

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ALSC是什么品牌：Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。