品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AS29F080-120TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-120TI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-150SC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 150ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-150SI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 150ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-150TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 150ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-150TI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 150ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-55SC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-55TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-70SC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS29F080-70SI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS29F080-70TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS29F080-70TI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-90SC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-90SI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-90TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F080-90TI
中文翻译 品牌: ALSC |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 | 光电二极管 | |||
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AS29F200
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-120SC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-120SI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-120TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-120TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-55SC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-55SI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-55TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-55TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-70SC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-70SI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-70TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-70TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F200B-90SC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 |
ALSC是什么品牌:Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立,总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM:包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造,最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术,几乎没有静态功率消耗。DRAM:包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术:Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、海量存储等领域。