型号等于：	7C256 (1) AS705 (1)
型号起始：	7C256* (7) A-S7C* (1) A2040* (5) A2811* (8) A2812* (8) A2814* (8) AS29C* (4) AS29F* (123) AS29L* (89) AS3LC* (7) AS3V2* (7) AS4C1* (93) AS4C2* (51) AS4C3* (25) AS4C4* (59) AS4C5* (6) AS4C6* (28) AS4C8* (32) AS4CM* (3) AS4LC* (81) AS4SC* (2) AS5LC* (1) AS62V* (2) AS6C1* (13) AS6C2* (1) AS6C3* (2) AS6C4* (8) AS6C6* (9) AS6C8* (11) AS6UA* (69) AS6UB* (8)
所属品牌：	不限 ALSC(7078)
功能分类：	不限静态存储器(3111) 时钟驱动器(671) 逻辑集成电路(895) 光电二极管(2856) 存储(1104) 内存集成电路(1993) 时钟(923) 晶体(786) 时钟发生器(421) 微控制器和处理器(410) 外围集成电路(787) 驱动(257) 动态存储器(269) 电源电路(348) 电源管理电路(334) 监控(363) 输入元件(157) ISM频段(361) 可编程只读存储器(104) 电动程控只读存储器(104) 电可擦编程只读存储器(104) CD(142) 电池(50) 开关(68) 闪存(64) 双倍数据速率(56) 电脑(59) 控制器(28) 微控制器(14) 复位电路(26) 稳压器(14) 开关式稳压器或控制器(14) 开关式控制器(14) 信息通信管理(13) 触发器(19) 锁存器(12) 电视(19) PC(35) 输出元件(14) 倍频器(10)

ALSC - 型号起始; 总记录数：7078

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS29LV400T-80TC 中文翻译品牌: ALSC	3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV400T-80TI 中文翻译品牌: ALSC	3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV400T-90BC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 256KX16, 90ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, BGA-48	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV400T-90BI 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 256KX16, 90ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, BGA-48
		AS29LV400T-90SC 中文翻译品牌: ALSC	3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV400T-90SI 中文翻译品牌: ALSC	3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM	闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV400T-90TC 中文翻译品牌: ALSC	3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV400T-90TI 中文翻译品牌: ALSC	3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AS29LV800B-70RSC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	光电二极管内存集成电路
		AS29LV800B-70RTI 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	光电二极管内存集成电路
		AS29LV800B-90SC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 512KX16, 90ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	光电二极管内存集成电路
		AS29LV800T-120TC 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	光电二极管内存集成电路
		AS29LV800T-80SI 中文翻译品牌: ALSC	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	光电二极管内存集成电路
		AS3LC2M16-55BC 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3LC2M16-55BE 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48	内存集成电路
		AS3LC2M16-70BC 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3LC2M16-70BE 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3LC2M16-70BI 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48	内存集成电路
		AS3LC2M16-85BE 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48	内存集成电路
		AS3LC2M16-85BI 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48	内存集成电路
		AS3V2M16-55BE 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3V2M16-55BI 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3V2M16-70BE 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3V2M16-70BI 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48	内存集成电路
		AS3V2M16-85BC 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48	内存集成电路
		AS3V2M16-85BE 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS3V2M16-85BI 中文翻译品牌: ALSC	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48
		AS4C128M16D2 中文翻译品牌: ALSC	Auto Refresh and Self Refresh
		AS4C128M16D2-25BCN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	Auto Refresh and Self Refresh	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C128M16D2-25BIN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	Auto Refresh and Self Refresh	动态存储器双倍数据速率内存集成电路

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ALSC是什么品牌：Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。