型号等于:7C256 (1) AS705 (1)
型号起始:7C256* (7) A-S7C* (1) A2040* (5) A2811* (8) A2812* (8) A2814* (8) AS29C* (4) AS29F* (123) AS29L* (89) AS3LC* (7) AS3V2* (7) AS4C1* (93) AS4C2* (51) AS4C3* (25) AS4C4* (59) AS4C5* (6) AS4C6* (28) AS4C8* (32) AS4CM* (3) AS4LC* (81) AS4SC* (2) AS5LC* (1) AS62V* (2) AS6C1* (13) AS6C2* (1) AS6C3* (2) AS6C4* (8) AS6C6* (9) AS6C8* (11) AS6UA* (69) AS6UB* (8)
所属品牌:不限 ALSC(7078)
功能分类:不限 静态存储器(3111) 时钟驱动器(671) 逻辑集成电路(895) 光电二极管(2856) 存储(1104) 内存集成电路(1993) 时钟(923) 晶体(786) 时钟发生器(421) 微控制器和处理器(410) 外围集成电路(787) 驱动(257) 动态存储器(269) 电源电路(348) 电源管理电路(334) 监控(363) 输入元件(157) ISM频段(361) 可编程只读存储器(104) 电动程控只读存储器(104) 电可擦编程只读存储器(104) CD(142) 电池(50) 开关(68) 闪存(64) 双倍数据速率(56) 电脑(59) 控制器(28) 微控制器(14) 复位电路(26) 稳压器(14) 开关式稳压器或控制器(14) 开关式控制器(14) 信息通信管理(13) 触发器(19) 锁存器(12) 电视(19) PC(35) 输出元件(14) 倍频器(10)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
AS4C128M16D2-25BCN EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC
Auto Refresh and Self Refresh 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M16D2-25BIN EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC
Auto Refresh and Self Refresh 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M16D2A-25BCN
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Fully synchronous operation 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M16D3-12BCN
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Bidirectional differential data strobe 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M16D3-12BIN
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Bidirectional differential data strobe 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M16D3B-12BCN
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2Gb AS4C128M16D3B-12BCN - 96 ball FBGA PACKAGE 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M32MD2A-18BIN
中文翻译 品牌: ALSC
Low power DDR2 SDRAM 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M32MD2A-25BIN
中文翻译 品牌: ALSC
Low power DDR2 SDRAM 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M8D2-25BCN
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128M x 8 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM) 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M8D2-25BIN
中文翻译 品牌: ALSC
128M x 8 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM) 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C128M8D3L-12BIN
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internal banks for concurrent operation 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C16M16D1A-5TCN
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Auto Refresh and Self Refresh 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
AS4C16M16D1A-5TIN
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Auto Refresh and Self Refresh 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
AS4C16M16D2-25BCN
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fully sunchronous operation 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C16M16D2-25BIN
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fully sunchronous operation 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C16M16MD1-6BCN EDA模型
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Programmable output buffer driver strength 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M16D3-12BCN
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Bidirectional differential data strobe 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M16D3-12BIN
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Bidirectional differential data strobe 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M16D3B-12BCN
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Eight internal banks for concurrent operation 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M16D3L-12BCN
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Supports JEDEC clock jitter specification 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M16D3L-12BIN
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Supports JEDEC clock jitter specification 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M8D2-25BCN
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Weak Strength Data-Output Driver Option 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M8D2-25BIN
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Weak Strength Data-Output Driver Option 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M8D3-12BCN
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Fully synchronous operation 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M8D3-12BIN
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Fully synchronous operation 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C256M8D3-15BCN
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Fully synchronous operation 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
AS4C32M16D1A
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32M x 16 bit DDR Synchronous DRAM 动态存储器 双倍数据速率
AS4C32M16D1A-5TCN
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Internal pipeline architecture 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
AS4C32M16D1A-5TIN
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Internal pipeline architecture 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
AS4C8M16D1A-5TCN
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Fully synchronous operation 时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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ALSC是什么品牌:Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立,总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM:包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造,最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术,几乎没有静态功率消耗。DRAM:包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术:Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、海量存储等领域。