品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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7C256
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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7C256-10
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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7C256-12
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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7C256-15
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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7C256-20
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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7C256-25
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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7C256-35
中文翻译 品牌: ALSC |
High Performance 32Kx8 CMOS SRAM 高性能32Kx8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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A-S7C33512NTD36A-166BI
中文翻译 品牌: ALSC |
512KX36 ZBT SRAM, 8.5ns, PBGA165, BGA-165 | 静态存储器 | |||
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AS29F010
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F010-120LC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F010-120PC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F010-120TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F010-150LC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F010-150PC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F010-150TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-120LC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-120LI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-120TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-120TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-150LC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-150LI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-150T
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-150TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-55LC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-55LI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-55TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-55TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-70LC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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AS29F040-70LI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 |
ALSC是什么品牌:Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立,总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM:包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造,最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术,几乎没有静态功率消耗。DRAM:包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术:Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、海量存储等领域。