型号等于：	7C256 (1) AS705 (1)
型号起始：	7C256* (7) A-S7C* (1) A2040* (5) A2811* (8) A2812* (8) A2814* (8) AS29C* (4) AS29F* (123) AS29L* (89) AS3LC* (7) AS3V2* (7) AS4C1* (93) AS4C2* (51) AS4C3* (25) AS4C4* (59) AS4C5* (6) AS4C6* (28) AS4C8* (32) AS4CM* (3) AS4LC* (81) AS4SC* (2) AS5LC* (1) AS62V* (2) AS6C1* (13) AS6C2* (1) AS6C3* (2) AS6C4* (8) AS6C6* (9) AS6C8* (11) AS6UA* (69) AS6UB* (8)
所属品牌：	不限 ALSC(7078)
功能分类：	不限静态存储器(3111) 时钟驱动器(671) 逻辑集成电路(895) 光电二极管(2856) 存储(1104) 内存集成电路(1993) 时钟(923) 晶体(786) 时钟发生器(421) 微控制器和处理器(410) 外围集成电路(787) 驱动(257) 动态存储器(269) 电源电路(348) 电源管理电路(334) 监控(363) 输入元件(157) ISM频段(361) 可编程只读存储器(104) 电动程控只读存储器(104) 电可擦编程只读存储器(104) CD(142) 电池(50) 开关(68) 闪存(64) 双倍数据速率(56) 电脑(59) 控制器(28) 微控制器(14) 复位电路(26) 稳压器(14) 开关式稳压器或控制器(14) 开关式控制器(14) 信息通信管理(13) 触发器(19) 锁存器(12) 电视(19) PC(35) 输出元件(14) 倍频器(10)

ALSC - 型号起始 - 时钟; 总记录数：2007

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS4C128M16D2A-25BCN 中文翻译品牌: ALSC	Fully synchronous operation	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C128M32MD2A-18BIN 中文翻译品牌: ALSC	Low power DDR2 SDRAM	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C128M32MD2A-25BIN 中文翻译品牌: ALSC	Low power DDR2 SDRAM	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C16M16D1-5BCN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	Fully synchronous operation	时钟动态存储器内存集成电路
		AS4C16M16D2-25BCN 中文翻译品牌: ALSC	fully sunchronous operation	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C16M16D2-25BIN 中文翻译品牌: ALSC	fully sunchronous operation	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C16M16S-7TCN 中文翻译品牌: ALSC	Programmable Mode registers	时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
		AS4C256M8D2-25BCN 中文翻译品牌: ALSC	Weak Strength Data-Output Driver Option	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C256M8D2-25BIN 中文翻译品牌: ALSC	Weak Strength Data-Output Driver Option	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		AS4C8M16D1A-5TCN 中文翻译品牌: ALSC	Fully synchronous operation	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		AS4C8M16S-6TIN 中文翻译品牌: ALSC	Programmable Mode registers	时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
		AS4C8M16S-7TCN 中文翻译品牌: ALSC	Programmable Mode registers	时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
		AS4LC16M4S0-8TC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54	时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC16M4SO-10TC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous DRAM, 16MX4, 7ns, CMOS, PDSO54	时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC1M16S0-10TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
		AS4LC1M16S1-7TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
		AS4LC256K64S0-133QC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous Graphics RAM, 256KX64, 7ns, CMOS, PQFP128, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-128	时钟动态存储器内存集成电路
		AS4LC2M8S0-12TC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous DRAM, 2MX8, 8.5ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC2M8S1-10TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M ×8 / 1M ×16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
		AS4LC4M16S0-10TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
		AS4LC512K32S0-100TQC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous DRAM, 512KX32, 9ns, CMOS, PQFP100	时钟动态存储器内存集成电路
		AS4LC512K32S0-133TQC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous DRAM, 512KX32, 7ns, CMOS, PQFP100	时钟动态存储器内存集成电路
		AS4LC512K32S0-150TQC 中文翻译品牌: ALSC	Synchronous DRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100	时钟动态存储器内存集成电路
		AS7C251MFT18A-10BI 中文翻译品牌: ALSC	Standard SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	时钟静态存储器内存集成电路
		AS7C251MFT18A-10BIN 中文翻译品牌: ALSC	暂无描述	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-10TQC 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-10TQCN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-10TQIN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-85TQC 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-85TQI 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟

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ALSC是什么品牌：Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。