品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AS4LC16M4S0-10TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Synchronous DRAM, 16MX4, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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AS4LC16M4S0-8TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 | 时钟 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC16M4SO-10TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Synchronous DRAM, 16MX4, 7ns, CMOS, PDSO54 | 时钟 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC16M4SO-8TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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AS4LC1M16E0-60JC
中文翻译 品牌: ETC |
x16 EDO Page Mode DRAM
X16 EDO页模式DRAM\n |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16E5-45JC
中文翻译 品牌: ALSC |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC1M16E5-45TC
中文翻译 品牌: ALSC |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC1M16E5-50JC
中文翻译 品牌: ETC |
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM ( EDO ) |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16E5-50JI
中文翻译 品牌: ETC |
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM ( EDO ) |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16E5-50TI
中文翻译 品牌: ETC |
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM ( EDO ) |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16E5-60JC
中文翻译 品牌: ETC |
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM ( EDO ) |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16E5-60JI
中文翻译 品牌: ETC |
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM ( EDO ) |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16E5-60TC
中文翻译 品牌: ETC |
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM ( EDO ) |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16S0-10TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 时钟 | |||
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AS4LC1M16S0-7TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16S1-12TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M ×8 / 1M ×16的CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC1M16S1-7TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 时钟 | |||
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AS4LC256K16E0-45TC
中文翻译 品牌: ETC |
x16 EDO Page Mode DRAM
X16 EDO页模式DRAM\n |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC256K16E0-60JC
中文翻译 品牌: ETC |
x16 EDO Page Mode DRAM
X16 EDO页模式DRAM\n |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC2M8E0-70JC
中文翻译 品牌: ALSC |
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC2M8S0-12TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Synchronous DRAM, 2MX8, 8.5ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 | 时钟 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC2M8S1-10TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M ×8 / 1M ×16的CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 时钟 | |||
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AS4LC4M16DG-5/IT
中文翻译 品牌: MICROSS |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC4M16DG-5/XT
中文翻译 品牌: MICROSS |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC4M16DG-6/IT
中文翻译 品牌: MICROSS |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC4M16DG-6/XT
中文翻译 品牌: MICROSS |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4LC4M16S0-10FTC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC4M16S0-10TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 时钟 | |||
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AS4LC4M16S0-75TC
中文翻译 品牌: ALSC |
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4LC4M4DG-6/XT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V 4M ×4 CMOS的DRAM快速页面模式, 3.3V |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 |