型号起始: | N04L1* (48) N04L16* (48) |
所属品牌: | 不限 NANOAMP(25) AMI(18) ONSEMI(4) ETC(1) |
功能分类: | 不限 静态存储器(25) 光电二极管(6) 内存集成电路(10) 存储(3) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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N04L1618C1CZ1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N04L1618C2A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N04L1618C2AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N04L1618C2AB-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N04L1618C2AB2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N04L1618C2AB2-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256Kx16位 |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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N04L1630C2BT-55I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04L1630C2BT-85I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04L163WC1A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB1
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB1-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AT
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AT-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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N04L163WC1AT2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AT2-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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N04L163WC1CT1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04L163WC1CZ1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N04L163WC2A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AB2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AT
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AT-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04L163WC2AT2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 |
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