品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AO3400
中文翻译 品牌: KEXIN |
类型:N沟道;元器件封装:SOT23; | ||||
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AO3400 (KO3400)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3400A
中文翻译 品牌: KEXIN |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):5.7A;类型:N Channel;最小工作温度(℃):0;元器件封装:0207; | ||||
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AO3400A (KO3400A)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3401
中文翻译 品牌: KEXIN |
类型:P沟道;元器件封装:SOT23; | ||||
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AO3401 (KO3401)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3401A (KO3401A)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3402 (KO3402)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3404 (KO3404)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3404A
中文翻译 品牌: KEXIN |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):5.8A;类型:N Channel;最小工作温度(℃):0;元器件封装:0207; | ||||
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AO3404A (KO3404A)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3406 (KO3406)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3407
中文翻译 品牌: KEXIN |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):4.1A;类型:P Channel;最小工作温度(℃):0;元器件封装:SOT-23-3; | ||||
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AO3407 (KO3407)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3407-HF
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3407A
中文翻译 品牌: KEXIN |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):4.3A;类型:P Channel;最小工作温度(℃):0;元器件封装:SOT-23-3; | ||||
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AO3407A (KO3407A)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3409
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | |||
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AO3409 (KO3409)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3409-HF
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel Enhancement MOSFET | ||||
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AO3409-HF-3
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel Enhancement MOSFET | ||||
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AO3410 (KO3410)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3413 (KO3413)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3414
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel Enhancement Mode N沟道增强模式 |
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AO3414 (KO3414)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3415
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3415A (KO3415A)
中文翻译 品牌: KEXIN |
P-Channel MOSFET | ||||
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AO3416 (KO3416)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3418 (KO3418)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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AO3419
中文翻译 品牌: KEXIN |
漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):3.5A;最大导通阻抗Ron(mΩ):85 mOhm @ 3.5A, 10V;类型:P Channel;栅极电荷Qg(nC):4.4nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):1.4W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±12V;最小工作温度(℃): | 栅 栅极 |