品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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5962-0250101QXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
128K X 8 STANDARD SRAM, 40 ns, DFP32, 0.400 INCH, DFP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-0250101VXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-0520801QXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8 5V容限非常低功耗CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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5962-0520801QYC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8 5V容限非常低功耗CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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5962-0520801QYX
中文翻译 品牌: ATMEL |
暂无描述 | 存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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5962-0520801VXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8 5V容限非常低功耗CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0520801VYC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8 5V容限非常低功耗CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0520802QXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0520802QXX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36 | 存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0520802QYC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0520802VXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0520802VYC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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5962-0622901QXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi-Chip Module 抗辐射16兆3.3V 5V容错SRAM的多芯片模块 |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0622901VXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module 抗辐射16兆3.3V 5V容错SRAM的多芯片模块 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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5962-0622902QXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module 抗辐射16兆3.3V SRAM多芯片模块 |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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5962-0622902VXC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module 抗辐射16兆3.3V SRAM多芯片模块 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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5962-0622903QYC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module 抗辐射16兆3.3V 5V容错SRAM的多芯片模块 |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-0622903VYC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module 抗辐射16兆3.3V 5V容错SRAM的多芯片模块 |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
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5962-895618MTX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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5962-895618MZX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-895618VTX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-895647QZX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-895647V6A
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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5962-895647V6X
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE | 静态存储器 | |||
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5962-895647VTX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-895647VZX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | 静态存储器 | |||
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5962-8959818MZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-32 | 内存集成电路 静态存储器 | ||
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5962-8959818QTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | ||
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5962-8959818QZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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5962-8959818QZX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 | 存储 内存集成电路 静态存储器 |
ATMEL是什么品牌:爱特美尔公司1984年成立,专业设计、生产、销售一系列高性能半导体器件,包括逻辑器件、非易失存储器、混合信号IC和射频IC。也是为数不多的能够在一个芯片上集成高密度存储、逻辑和模拟功能的厂家之一。公司采用最先进的晶片工艺制造芯片,包括BiCMOS、CMOS和新兴的SiGe技术。爱特美尔公司总部设在美国加州圣约瑟市,在美国、欧洲有多家制造工厂,其中包括设在法国的世界一流的8英寸、0.25微米晶片制造厂。公司在全球设立了多个办事处。此外,公司的产品还通过遍布全球的授权销售代表和分销商销往世界各地。
2016年被美国芯片制造商微芯科技(Microchip Technology)宣布以36亿美元收购。