| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA10-10
中文翻译 品牌: ETC |
Analog IC
模拟IC\n |
模拟IC | |||
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2SA1012
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 2; Ic(mA) : 5; BVCBO(V) : 60; BVCEO(V) : 50/160; BVEBO(V) : 5; Min : 70; Max : 240; VCE (sat) (v) : 0.4; Package Outline : TO-220; | ||||
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2SA1015
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz 高电压和高电流VCEO ： = - 50V （分钟） ， IC = -150mA （最大值）低nio |
晶体 晶体管 | |||
| 2SA1015
中文翻译 品牌: TWGMC |
Polarity : PNP; PCM : 0.2; IC : 0.15; VCBO : 50; VCEO : 50; VEBO : 5; hFE : 130; hFE : 400; hFE | PC | ||||
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2SA1020
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 625; Ic(mA) : 2; BVCBO(V) : 50; BVCEO(V) : 50; BVEBO(V) : 5; Min : 70; Max : 240; VCE (sat) (v) : 0.5; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1036
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 200; Ic(mA) : 500; BVCBO(V) : 40; BVCEO(V) : 32; BVEBO(V) : 5; Min : 82; Max : 390; VCE (sat) (v) : 3; Package Outline : SOT-23; | ||||
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2SA1036K
中文翻译 品牌: AITSEMI |
Polarity : PNP; IC (mA) : -500; VCEO (V) : -25; hFE Min/Max : 180/390; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : -150/-2; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.4; VCE(sat) /IC/IB( | ||||
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2SA1037
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 200; Ic(mA) : 150; BVCBO(V) : 60; BVCEO(V) : 50; BVEBO(V) : 6; Min : 120; Max : 560; VCE (sat) (v) : 6; Package Outline : SOT-23; | ||||
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2SA1037G
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):200mW; | ||||
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2SA1081
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 400; Ic(mA) : 0.1; BVCBO(V) : 90; BVCEO(V) : 90; BVEBO(V) : 5; Min : 250; Max : 800; VCE (sat) (v) : 0.2; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1082
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 400; Ic(mA) : 0.1; BVCBO(V) : 120; BVCEO(V) : 120; BVEBO(V) : 5; Min : 250; Max : 800; VCE (sat) (v) : 0.2; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1083
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 400; Ic(mA) : 0.1; BVCBO(V) : 60; BVCEO(V) : 60; BVEBO(V) : 5; Min : 250; Max : 800; VCE (sat) (v) : 0.2; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1084
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 400; Ic(mA) : 0.1; BVCBO(V) : 90; BVCEO(V) : 90; BVEBO(V) : 5; Min : 250; Max : 800; VCE (sat) (v) : 0.2; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1162
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage and high current: VCEO = -50 V, IC = 150 mA (max) 高电压和高电流： VCEO = -50 V， IC = 150 MA（最大） |
晶体 晶体管 光电二极管 | |||
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2SA1162-C
中文翻译 品牌: SECOS |
Configuration : Single ; Type : PNP ; PD (mW) : 150 ; VCBO (V) : -50 ; VCEO (V) : -50 ; IC (mA) : -150 ; hFE : 70/400 ; VCE(sat) : -2/-6 ; fT (MHz) : | 光电二极管 | |||
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2SA1162-O2SA1162-Y2SA1162-G
中文翻译 品牌: AITSEMI |
Polarity : PNP; IC (mA) : -150; VCEO (V) : -50; hFE Min/Max : 70/140120/240200/400; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 2/6; VCE(sat) / Max(Volts) : -0.30; VCE(s | ||||
| 2SA1201
中文翻译 品牌: TWGMC |
Polarity : PNP; PCM : 0.5; IC : 0.8; VCBO : 120; VCEO : 120; VEBO : 5; hFE : 80; hFE : 240; hFE | PC | ||||
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2SA1201
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 800; BVCBO(V) : 120; BVCEO(V) : 120; BVEBO(V) : 5; Min : 80; Max : 240; VCE (sat) (v) : 5; Package Outline : SOT-89; | ||||
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2SA1201Y
中文翻译 品牌: SHIKUES |
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):800mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):1V 500mA,50mA;最大耗散功率Pd(W):1W;变换频率ft(MHz):120MHz; | ||||
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2SA1203
中文翻译 品牌: SECOS |
VCBO (V) : PNP ; VCEO (V) : 0.5 ; IC (A) : -30 ; Automotive : -30 ; Type : -1.5 ; hFE : 160 / 320 ; VCE(sat) : -500 / -2 ; fT (MHz) : | ||||
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2SA1203
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 1500; BVCBO(V) : 30; BVCEO(V) : 30; BVEBO(V) : 5; Min : 100; Max : 320; VCE (sat) (v) : 2; Package Outline : SOT-89; | ||||
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2SA1213
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -1A) High Speed Switching Time: tstg = 1.0ìs(typ.) 低饱和电压： VCE （SAT） = -0.5V （最大值） （ IC = -1A |
开关 | |||
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2SA1213
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 2000; BVCBO(V) : 50; BVCEO(V) : 50; BVEBO(V) : 5; Min : 70; Max : 240; VCE (sat) (v) : 2; Package Outline : SOT-89; | ||||
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2SA1213Y
中文翻译 品牌: AITSEMI |
Polarity : PNP; IC (mA) : 1500; VCEO (V) : 32; hFE Min/Max : 120/240; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 100/3.0; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.5; VCE(sat) /IC/IB(m | ||||
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2SA1296
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 750; Ic(mA) : 2; BVCBO(V) : 20; BVCEO(V) : 20; BVEBO(V) : 6; Min : 120; Max : 400; VCE (sat) (v) : 0.5; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1312-BL
中文翻译 品牌: KIOXIA |
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):125°C ;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-23-3; | ||||
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2SA1314
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Saturation Voltage VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -2A, IB = -50mA) Small Flat Package 低饱和电压VCE （SAT） = -0.5V （最大值） （ IC = -2A ， IB = -50mA ）小型扁平封 |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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2SA1318
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 200; BVCBO(V) : 60; BVCEO(V) : 50; BVEBO(V) : 6; Min : 100; Max : 560; VCE (sat) (v) : 6; Package Outline : TO-92; | ||||
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2SA1363
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High hFE : hFE = 150 to 800 High Collector Current (IC = -2A) 高的hFE ：的hFE = 150 〜800高集电极电流（ IC = -2A ） |
晶体 晶体管 | |||
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2SA1369
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High Collector Current (ICM = -3A, IC = -1.5A) High Collector Dissipation PC = 500mW 高集电极电流（ ICM = -3A ， IC = -1.5A ）高集电极耗散PC = 500mW的 |
信息通信管理 PC |