品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BL1102
中文翻译 品牌: BELLING |
single chip dialer IC using Si-gate CMOS process 单芯片拨号器IC采用硅栅CMOS工艺 |
栅 | |||
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BL8202
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8202是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达250V 电压下工作。 BL8202内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能, | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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BL8203
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8203是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达250V 电压下工作。 BL8203内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能, | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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BL8601
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8601是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达600V 电压下工作。 BL8601内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能 | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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BLQM08N06
中文翻译 品牌: BELLING |
BLQM08N06是一款60V 80A trench NMOS,采用先进的沟槽技术,具有低Rdson,高Eas能力,低栅电荷。它可以用于各种各样的应用。 | 栅 | |||
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SA2531
中文翻译 品牌: BELLING |
SA2531是一款针对于高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计的低侧栅极驱动芯片,可在25V电压下工作。 SA2531内置VCC(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。 | 栅极驱动 双极性晶体管 | |||
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SA2532
中文翻译 品牌: BELLING |
SA2532是一款针对于高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计的双通道低侧栅极驱动芯片,可在25V电压下工作。 SA2532内置VCC(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高 | 栅极驱动 双极性晶体管 | |||
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SA2602
中文翻译 品牌: BELLING |
SA2602是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达600V电压下工作。 SA2602内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能, | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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SA2603
中文翻译 品牌: BELLING |
SA2603是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达600V电压下工作。 SA2603内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能, | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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SA2604
中文翻译 品牌: BELLING |
SA2604是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达600V电压下工作。 SA2604内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能, | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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SA2605
中文翻译 品牌: BELLING |
SA2605是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达600V电压下工作。 SA2605内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能, | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 |
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BELLING是什么品牌:上海贝岭股份有限公司前身是上海贝岭微电子制造有限公司,1988年由上海市仪表局、上海贝尔公司合资设立,是国内集成电路行业的首家中外合资企业,也是国家改革开放初期成功吸引外资和引进国外先进技术的标志性企业。1998年9月公司改制上市,是国内集成电路行业首家上市公司。1999年,华虹集团成为公司控股股东。2009年,中国电子信息产业集团有限公司(CEC)成为公司控股股东。2015年7月,华大半导体成为上海贝岭控股股东,公司实际控制人仍为CEC。
上海贝岭地处漕河泾新兴技术开发区,1999年起成为国家级企业技术中心。公司专注于集成电路芯片设计和产品应用开发,是国内集成电路产品主要供应商之一。公司集成电路产品业务布局在功率链(电源管理、功率器件、电机驱动业务)和信号链(数据转换器、电力专用芯片、物联网前端、非挥发存储器、标准信号产品业务),主要目标市场为汽车电子、工控、光伏、储能、能效监测、电力设备、光通讯、家电、短距离交通工具、高端及便携式医疗设备,以及手机摄像头模组等其它消费类应用市场。