BH61 - 型号起始; 总记录数：109

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH616UV1610_06 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611AI55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BH616UV1611AIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611AIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611AIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611BI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611BIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611DI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611DIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611TI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611TIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611TIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611_08 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV8010 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010AI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010AI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010AI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储静态存储器

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型号起始：	BH61* (109) BH611* (13) BH613* (2) BH614* (2) BH615* (4) BH616* (77) BH617* (11)
所属品牌：	不限 BSI(77) ROHM(27) TTELEC(4) ETC(1)
功能分类：	不限静态存储器(77) 存储(15) 电信(9) 光电二极管(13) 电信集成电路(11) 信息通信管理(7) 内存集成电路(4) 电信电路(2) 装置(3) 电源电路(2) 电源管理电路(2) 蜂窝(1) 转换器(1) 调节器(1)