BH61 - 型号起始; 总记录数：109

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH616UV8010AI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储静态存储器
		BH616UV8010AIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储静态存储器
		BH616UV8010AIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010AIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TC 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储静态存储器
		BH616UV8010TIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010TIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010_06 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011AI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储静态存储器
		BH616UV8011AIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011AIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BH616UV8011AIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011DIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE	静态存储器内存集成电路

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总109条记录，每页显示30条记录分4页显示。

型号起始：	BH61* (109) BH611* (13) BH613* (2) BH614* (2) BH615* (4) BH616* (77) BH617* (11)
所属品牌：	不限 BSI(77) ROHM(27) TTELEC(4) ETC(1)
功能分类：	不限静态存储器(77) 存储(15) 电信(9) 光电二极管(13) 电信集成电路(11) 信息通信管理(7) 内存集成电路(4) 电信电路(2) 装置(3) 电源电路(2) 电源管理电路(2) 蜂窝(1) 转换器(1) 调节器(1)