BS616LV201 - 型号起始; 总记录数：271

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2017DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2017EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2017ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2017EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2017EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2017EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018ACG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018ACG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器
		BS616LV2018ACP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018ACP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路

Total:271上页 1 2 3 4 567 8 9 10 下页

总271条记录，每页显示30条记录分10页显示。

型号等于：	BS616LV2010 (1) BS616LV2011 (1) BS616LV2012 (1) BS616LV2013 (1) BS616LV2015 (1) BS616LV2016 (1) BS616LV2017 (1) BS616LV2018 (1) BS616LV2019 (1)
型号起始：	BS616LV201* (271) BS616LV2010* (27) BS616LV2011* (9) BS616LV2012* (7) BS616LV2013* (9) BS616LV2015* (9) BS616LV2016* (57) BS616LV2017* (51) BS616LV2018* (29) BS616LV2019* (73)
所属品牌：	不限 BSI(271)
功能分类：	不限静态存储器(270) 内存集成电路(71) 光电二极管(43) 存储(27)