型号起始：	BS616LV4* (195) BS616LV40* (195)
所属品牌：	不限 BSI(188) ETC(7)
功能分类：	不限静态存储器(194) 内存集成电路(63) 光电二极管(30) 存储(16)

BS616LV4 - 型号起始; 总记录数：195

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4010EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4010EC10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV4010EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECG10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECP10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4010EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EIG10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4011 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4011EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4015EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

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