型号起始：	BS616LV4* (195) BS616LV40* (195)
所属品牌：	不限 BSI(188) ETC(7)
功能分类：	不限静态存储器(194) 内存集成电路(63) 光电二极管(30) 存储(16)

BS616LV4 - 型号起始; 总记录数：195

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4018AI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018AIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018AIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018AIP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器
		BS616LV4018AIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018DC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018DI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018EC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV4018EI 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4020 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器

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