型号起始：	BS616LV4* (195) BS616LV40* (195)
所属品牌：	不限 BSI(188) ETC(7)
功能分类：	不限静态存储器(194) 内存集成电路(63) 光电二极管(30) 存储(16)

BS616LV4 - 型号起始; 总记录数：195

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4021 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器

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