型号起始: | BS616LV4* (195) BS616LV40* (195) |
所属品牌: | 不限 BSI(188) ETC(7) |
功能分类: | 不限 静态存储器(194) 内存集成电路(63) 光电二极管(30) 存储(16) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV4010AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ACG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ACP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010AI10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010AIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010AIP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010AIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BCG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BCP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BI10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010BIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4016AC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV4016ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV4016ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV4016ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 |