BS616LV801 - 型号起始; 总记录数：207

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		BS616LV8016FI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8016FI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8016FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8016_06 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017DI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017EA70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8017EAG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV8017EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017EC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017EC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8017ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8017ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管

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总207条记录，每页显示30条记录分7页显示。

型号等于：	BS616LV8010 (1) BS616LV8011 (1) BS616LV8012 (1) BS616LV8013 (1) BS616LV8015 (1) BS616LV8016 (1) BS616LV8017 (1) BS616LV8018 (1) BS616LV8019 (1)
型号起始：	BS616LV801* (207) BS616LV8010* (37) BS616LV8011* (3) BS616LV8012* (3) BS616LV8013* (15) BS616LV8015* (3) BS616LV8016* (37) BS616LV8017* (53) BS616LV8018* (19) BS616LV8019* (37)
所属品牌：	不限 BSI(207)
功能分类：	不限静态存储器(207) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27)