型号等于: | BS616LV8010 (2) |
型号起始: | BS616LV8010* (38) BS616LV8010E* (18) BS616LV8010F* (18) |
所属品牌: | 不限 BSI(37) |
功能分类: | 不限 静态存储器(37) 存储(9) 内存集成电路(16) 光电二极管(10) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV8010FI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8010FI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV8010FI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV8010FIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV8010FIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8010FIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV8010FIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 |