BS616LV8017F - 型号起始 - 内存集成电路; 总记录数：7

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		BS616LV8017FC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017FI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017FI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8017FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器

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