型号起始：	62LV* (2) BD61* (36) BH61* (77) BH62* (40) BS61* (845)
所属品牌：	不限 BSI(3253)
功能分类：	不限静态存储器(3247) 光电二极管(915) 内存集成电路(1015) 存储(489)

BSI - 型号起始; 总记录数：3253

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH62UV1600AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 2M X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 2M ×8位	存储静态存储器
		BH62UV1601 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 2M X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 2M ×8位	静态存储器
		BH62UV1601AI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 2M X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 2M ×8位	静态存储器
		BH62UV1601AIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		BH62UV1601AIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48	静态存储器内存集成电路
		BH62UV1601_08 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV4000 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000DI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000DIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000EI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000EIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000HI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	存储静态存储器
		BH62UV4000HIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	存储静态存储器
		BH62UV4000PI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	存储静态存储器
		BH62UV4000PIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	存储静态存储器
		BH62UV4000SI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	存储静态存储器
		BH62UV4000SIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000STI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000STIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV4000TI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	存储静态存储器
		BH62UV4000TIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位	静态存储器
		BH62UV8000 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV8000AI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV8000AI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV8000AIG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BH62UV8000AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	存储静态存储器
		BH62UV8000DI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV8000DI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV8000DIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH62UV8001 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×8位	静态存储器

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BSI是什么品牌：BSI成立于1996年，是一家无晶圆厂半导体制造公司，也是超低功率SRAM的全球供应商。 BSI总部位于台湾硅谷，新竹科技园区。 BSI在全球范围内提供超低功耗SRAM解决方案，涵盖低密度256K SRAM到16M SRAM，并制定了积极的路线图战略，以开发超出此范围的产品。 BSI超低功耗SRAM已广泛应用于手机、PDA、GPS、掌上游戏、条形码阅读器、电池备份电子设备等行业。BSI是全球超低功率SRAM市场的主要参与者。