| 型号起始： | 62LV* (2) BD61* (36) BH61* (77) BH62* (40) BS61* (845) |
| 所属品牌： | 不限 BSI(3253) |
| 功能分类： | 不限 静态存储器(3247) 光电二极管(915) 内存集成电路(1015) 存储(489) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1010DCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010DCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DCG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010DCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010DCP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 |
BSI是什么品牌：BSI成立于1996年，是一家无晶圆厂半导体制造公司，也是超低功率SRAM的全球供应商。
BSI总部位于台湾硅谷，新竹科技园区。
BSI在全球范围内提供超低功耗SRAM解决方案，涵盖低密度256K SRAM到16M SRAM，并制定了积极的路线图战略，以开发超出此范围的产品。
BSI超低功耗SRAM已广泛应用于手机、PDA、GPS、掌上游戏、条形码阅读器、电池备份电子设备等行业。BSI是全球超低功率SRAM市场的主要参与者。