型号起始：	62LV* (2) BD61* (36) BH61* (77) BH62* (40) BS61* (845)
所属品牌：	不限 BSI(3253)
功能分类：	不限静态存储器(3247) 光电二极管(915) 内存集成电路(1015) 存储(489)

BSI - 型号起始; 总记录数：3253

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIP75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010_06 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器

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BSI是什么品牌：BSI成立于1996年，是一家无晶圆厂半导体制造公司，也是超低功率SRAM的全球供应商。 BSI总部位于台湾硅谷，新竹科技园区。 BSI在全球范围内提供超低功耗SRAM解决方案，涵盖低密度256K SRAM到16M SRAM，并制定了积极的路线图战略，以开发超出此范围的产品。 BSI超低功耗SRAM已广泛应用于手机、PDA、GPS、掌上游戏、条形码阅读器、电池备份电子设备等行业。BSI是全球超低功率SRAM市场的主要参与者。