型号起始：	62LV* (2) BD61* (36) BH61* (77) BH62* (40) BS61* (845)
所属品牌：	不限 BSI(3253)
功能分类：	不限静态存储器(3247) 光电二极管(915) 内存集成电路(1015) 存储(489)

BSI - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：915

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010EAG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1013EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1013ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1013EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1015ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管

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BSI是什么品牌：BSI成立于1996年，是一家无晶圆厂半导体制造公司，也是超低功率SRAM的全球供应商。 BSI总部位于台湾硅谷，新竹科技园区。 BSI在全球范围内提供超低功耗SRAM解决方案，涵盖低密度256K SRAM到16M SRAM，并制定了积极的路线图战略，以开发超出此范围的产品。 BSI超低功耗SRAM已广泛应用于手机、PDA、GPS、掌上游戏、条形码阅读器、电池备份电子设备等行业。BSI是全球超低功率SRAM市场的主要参与者。