| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
2SC5026
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） 。高集电极 - 发射极电压（基本开） VCEO |
||||
|
2SC5053
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.12V at IC / IB = 500mA / 50mA. 低饱和电压，通常为VCE （SAT） = 0.12V时IC / IB = 500毫安/ 50毫安。 |
||||
|
2SC5063
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) 高速开关高集电极到安全操作的基极电压VCBO广域（ ASO ） |
晶体 开关 晶体管 | |||
|
2SC5069
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High current capacity. Adoption of MBIT process. High DC current gain. 高电流容量。通过MBIT过程。高直流电流增益。 |
||||
|
2SC5161
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage.VCEO = 400V NPN silicon transistor 高击穿voltage.VCEO = 400V NPN硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SC5209
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage VCEO=50V. Small package for mounting. High hFE = 600 to 1800. 高电压VCEO = 50V 。小型封装的安装。高的hFE = 600 〜1800 。 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SC5211
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage VCEO=50V. Small package for mounting.Collector-base voltage VCBO 55 V 高电压VCEO = 50V 。小包装的mounting.Collector - 基极电压VCBO 55 V |
晶体 晶体管 | |||
|
2SC5212
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage VCE(sat)=0.2V typ. High collector current ICM=1A. 低集电极饱和电压VCE （SAT） = 0.2V （典型值） 。高集电极电流ICM = 1A 。 |
晶体 晶体管 信息通信管理 | |||
|
2SC5214
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High fT fT=100MHz typ. Excellent linearity of dc forward current gain. 高fT的FT = 100MHz的典型。直流正向电流增益出色的线性度。 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SC5232
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) Large collector current: IC = 500 mA (max). 低饱和电压（典型值） VCE （SAT） （ 1 ）= 15 mV的大型集电极电流IC = 500 |
||||
|
2SC5310
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
||||
|
2SC5342SF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage enabling low-voltage operation. 低集电极饱和电压从而实现了低电压操作。 |
||||
|
2SC5342UF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage enabling low-voltage operation 低集电极饱和电压从而实现了低电压操作 |
||||
|
2SC5343SF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage: VCE=0.25V(Max.) Low output capacitance:Cob=2pF(Typ.) 低集电极饱和电压VCE = 0.25V （最大值）的低输出电容：玉米棒=为2pF （典型值） |
||||
|
2SC5343UF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage : VCE=0.25V(Max.) Low output capacitance : Cob=2pF(Typ.) 低集电极饱和电压VCE = 0.25V （最大值）的低输出电容：玉米棒=为2pF （典型值） |
||||
|
2SC5355
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Excellent switching times: tr = 0.5 ìs (max), tf = 0.3 ìs (max) High DC current gain: hFE = 20 (min) 出色的开关时间： TR = 0.5 ìs （最大） ， TF = 0.3 ìs （最 |
开关 | |||
|
2SC5356
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Excellent switching times: tf= 0.5 ìs (max) (IC = 1.2 A) High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A) 出色的开关时间： TF = 0.5 ìs （最大值） （IC = 1.2 |
开关 | |||
|
2SC5457
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High-speed switching High collector to base voltage VCBO transfer ratio hFE 高速开关高集电极到基极电压VCBO传输比的hFE |
开关 | |||
|
2SC5585
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Hig current. Low VCE(sat):VCE(sat) 250mV at IC=200mA/IB=10mA HIG电流。低VCE （SAT） ： VCE （ sat）的250mV的在IC = 200毫安/ IB = 10毫安 |
Total:191
总19条记录，每页显示30条记录分1页显示。