品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC5026
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。高集电极 - 发射极电压(基本开) VCEO |
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2SC5053
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.12V at IC / IB = 500mA / 50mA. 低饱和电压,通常为VCE (SAT) = 0.12V时IC / IB = 500毫安/ 50毫安。 |
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2SC5063
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) 高速开关高集电极到安全操作的基极电压VCBO广域( ASO ) |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2SC5069
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High current capacity. Adoption of MBIT process. High DC current gain. 高电流容量。通过MBIT过程。高直流电流增益。 |
Total:41
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