| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC5617FB-T3-A
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,BJT,NPN,6V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416VAR | ||||
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2SC5618
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618(NE687M13)
中文翻译 品牌: ETC |
Discrete
分离\n |
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2SC5618-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ISM频段 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618-EB
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618-EB-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ||||
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2SC5618-FB
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618-FB-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ||||
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2SC5618-T3
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ||||
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2SC5618-T3-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ISM频段 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618-T3EB
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ||||
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2SC5618-T3EB-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ISM频段 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618-T3FB
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618-T3FB-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | ISM频段 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC5618EB
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
晶体管| BJT | NPN | 3V V（ BR ） CEO | 30MA I（C ） | SOT- 416VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5618EB-A
中文翻译 品牌: NEC |
TRANSISTOR,BJT,NPN,3V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416VAR | ||||
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2SC5618EB-T3
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
晶体管| BJT | NPN | 3V V（ BR ） CEO | 30MA I（C ） | SOT- 416VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5618EB-T3-A
中文翻译 品牌: NEC |
TRANSISTOR,BJT,NPN,3V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416VAR | ||||
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2SC5618FB
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
晶体管| BJT | NPN | 3V V（ BR ） CEO | 30MA I（C ） | SOT- 416VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5618FB-A
中文翻译 品牌: NEC |
TRANSISTOR,BJT,NPN,3V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416VAR | ||||
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2SC5618FB-T3
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
晶体管| BJT | NPN | 3V V（ BR ） CEO | 30MA I（C ） | SOT- 416VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5618FB-T3-A
中文翻译 品牌: NEC |
TRANSISTOR,BJT,NPN,3V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416VAR | ||||
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2SC5619
中文翻译 品牌: ISAHAYA |
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR 小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5619_13
中文翻译 品牌: ISAHAYA |
FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 |
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2SC5620
中文翻译 品牌: ISAHAYA |
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR 小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5621
中文翻译 品牌: ISAHAYA |
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR 小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SC5621_13
中文翻译 品牌: ISAHAYA |
FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 |
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2SC5622
中文翻译 品牌: PANASONIC |
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) 硅NPN三重扩散台面型（水平偏转输出） |
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2SC5623
中文翻译 品牌: HITACHI |
SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN硅外延高频低噪声放大器 |
晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 光电二极管 | |||
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2SC5623
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier NPN硅外延高频低噪声放大器 |
晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 光电二极管 |