品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE5500179A
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
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NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500479A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500479A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5510179A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
暂无描述 | 晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510279A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5511279A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | ||
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NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: CEL |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE5520279A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V, 2 W , L& S波段中功率硅LD- MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5520279A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 晶体 晶体管 放大器 | |||
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NE5520279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V, 2 W , L& S波段中功率硅LD- MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5520279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5520379A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE5520379A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5520379A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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NE552R479A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R479A-T1
中文翻译 品牌: RENESAS |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R479A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R479A-T1A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R679A
中文翻译 品牌: NEC |
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE552R679A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 射频 |