型号等于:NE555 (12) NE556 (5) NE558 (3)
型号起始:NE55* (760) NE550* (28) NE551* (94) NE552* (36) NE553* (273) NE554* (13) NE555* (166) NE556* (102) NE557* (12) NE558* (21) NE559* (15)
所属品牌:不限 TI(135) VISHAY(130) NXP(128) PHILIPS(100) NEC(44) ONSEMI(43) RENESAS(40) CEL(34) ETC(28) ROCHESTER(19) STMICROELECTRONICS(15) UTC(15) FAIRCHILD(10) FS(3) UMW(3) DIODES(2) HGSEMI(2) MOTOROLA(2) TGS(2) ESTEK(1) HARRIS(1) HMSEMI(1) SAMSUNG(1) Wing Shing(1)
功能分类:不限 光电二极管(273) 运算放大器(147) 放大器电路(72) 放大器(170) 模拟波形发生功能(37) 信号电路(38) CD(50) 晶体管(41) PC(30) 电阻器(10) 晶体(29) 射频场效应晶体管(16) 射频(15) 开关(22) ISM频段(10) 模拟定时器(11) 外围集成电路(5) 控制器(11) 输出元件(9) 调节器(12) 视频放大器(4) 功率放大器(5) GSM(6) 稳压器(3) 开关式稳压器或控制器(3) 电源电路(3) 开关式控制器(3) 电子(2) 电机(3) 转换器(4) 位置转换器(2) 采样保持电路(2) 半导体(1) 振荡器(1) 军事(1) 电动机控制(2) 脉冲(1) 空调(1) 运动控制电子器件(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
NE5500179A
中文翻译 品牌: NEC
SILICON POWER MOS FET
硅功率MOS FET
NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: NEC
SILICON POWER MOS FET
硅功率MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5500179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN 晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5500234
中文翻译 品牌: NEC
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 放大器 晶体管
NE5500234-AZ
中文翻译 品牌: NEC
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 放大器 ISM频段 晶体管
NE5500234-T1-AZ
中文翻译 品牌: NEC
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 放大器 ISM频段 晶体管
NE5500479A-T1
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 放大器 晶体管
NE5500479A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN
NE5510179A
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器
放大器 射频
NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管
NE5510179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC
暂无描述 晶体 放大器 射频场效应晶体管
NE5510279A
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM
NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM
NE5510279A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN
NE5511279A
中文翻译 品牌: NEC
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-A
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: NEC
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5520279A
中文翻译 品牌: NEC
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NECS 3.2 V, 2 W , L& S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5520279A-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 晶体 晶体管 放大器
NE5520279A-T1
中文翻译 品牌: NEC
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NECS 3.2 V, 2 W , L& S波段中功率硅LD- MOSFET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5520279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, 79A, 4 PIN
NE5520379A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE5520379A-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 ISM频段 晶体管
NE552R479A-T1
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE552R479A-T1A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE552R479A-T1A-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE552R679A
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3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器
放大器 射频
NE552R679A-A
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 射频
NE552R679A-T1
中文翻译 品牌: NEC
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器
放大器 射频
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