| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002W_1
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_10
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_11
中文翻译 品牌: MCC |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_12
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N.Channel, SC.70 小信号MOSFET 60 V 340毫安，单， N.Channel ， SC.70 |
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2N7002W_12
中文翻译 品牌: UTC |
300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 300毫安， 60V N沟道功率MOSFET |
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2N7002W_13
中文翻译 品牌: MCC |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_14
中文翻译 品牌: PANJIT |
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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2N7002W_15
中文翻译 品牌: UTC |
N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING | 开关 | |||
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2N7002W_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):115mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):5Ω 10V,500mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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2N7002W
中文翻译 品牌: LGE |
场效应晶体管 | 晶体管 场效应晶体管 |