品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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C2M1000170J
中文翻译 品牌: CREE |
Silicon Carbide Power MOSFET | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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CGH09120F-TB
中文翻译 品牌: CREE |
120 W, UHF - 2.5 GHz, GaN HEMT for WCDMA, LTE, MC-GSM | 局域网 GSM 放大器 LTE 晶体管 | |||
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CGH21120F
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CGH21120F-TB
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CGH25120F-TB
中文翻译 品牌: CREE |
120 W, 2300-2700 MHz, GaN HEMT for WiMAX and LTE | 局域网 放大器 LTE 晶体管 | |||
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CGH27015F-TB
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CGH27015P
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 放大器 晶体管 | |||
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CGH27015S
中文翻译 品牌: CREE |
Transistor | ||||
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CGH27030S
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, | |||
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CGH27030S-TR
中文翻译 品牌: CREE |
30 W, DC - 6.0 GHz, 28 V, GaN HEMT | ||||
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CGH35015F
中文翻译 品牌: CREE |
15 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX 15 W, 3300-3900兆赫, 28V ,氮化镓HEMT用于WiMAX |
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CGH35015P
中文翻译 品牌: CREE |
15 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX | 放大器 晶体管 | |||
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CGH35015S
中文翻译 品牌: CREE |
Transistor | ||||
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CGH35030F
中文翻译 品牌: CREE |
30 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX 30 W, 3300-3900兆赫, 28V ,氮化镓HEMT用于WiMAX |
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CGH35060F1
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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CGH35060F2
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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CGH35060F2-TB
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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CGH35060P1
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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CGH35060P2
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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CGH35240F
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CGH35240F-TB
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CGH40006S
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, QFN-6 | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CGH40006S-TB
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, 3 X 3 MM, PLASTIC, QFN-6 | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CGH40006S-TR
中文翻译 品牌: CREE |
6 W, RF Power GaN HEMT, Plastic | ||||
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CGH40025P
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 放大器 晶体管 | |||
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CGH40045P
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 放大器 晶体管 | |||
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CGH55015F
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CGH55015P1
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 放大器 晶体管 | |||
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CGH55015P2
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 放大器 晶体管 | |||
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CGH55030F
中文翻译 品牌: CREE |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 局域网 放大器 晶体管 |
CREE是什么品牌:Cree公司是市场上领先的照明革新者与半导体制造商,以显著提高固态照明,电力及通讯产品的能源效果来提高价值。Cree的市场优势来源于碳化硅(SiC)材料,以及用此来外延芯片和制备相关的器件。这些芯片及器件可在很小的空间里用更大的功率,同时比别的现有技术,材料及产品放热更少。Cree把能源回归解决方案(ROE)用于多种用途,包括在更亮及可调节的发光二极管光照明(LED),更鲜艳的背光显示,高电流开关电源和变转速电动机的最佳电力管理,和更为有效的数据与声音通讯的无线基础设施等方面有令人兴奋的可选择的方案。Cree的顾客有从创新照明灯具制造商到与国防有关的联邦机构。