型号等于：	1N5819 (142) 1N5819G (4) 1N5819H (1) 1N5819L (1) 1N5819M (1) 1N5819S (5) 1N5819U (1) 1N5819W (7) 1N5819X (1)
型号起始：	1N5819* (308) 1N5819 * (1) 1N5819-* (32) 1N5819.* (1) 1N5819/* (13) 1N58191* (1) 1N5819A* (1) 1N5819B* (2) 1N5819C* (2) 1N5819D* (3) 1N5819F* (4) 1N5819G* (12) 1N5819H* (24) 1N5819L* (5) 1N5819M* (7) 1N5819P* (2) 1N5819R* (5) 1N5819S* (6) 1N5819T* (9) 1N5819U* (14) 1N5819W* (17) 1N5819X* (1) 1N5819_* (4)
所属品牌：	不限 RECTRON(22) VISHAY(20) DIODES(14) MCC(11) SWST(10) SENSITRON(8) MICROSEMI(7) UTC(7) WTE(7) KEXIN(6) STMICROELECTRONICS(6) COMCHIP(5) SEME-LAB(5) FAIRCHILD(4) FRONTIER(4) ONSEMI(4) TE(4) CDI-DIODE(3) CENTRAL(3) EIC(3) HOTTECH(3) NJSEMI(3) NXP(3) SEMTECH(3) TYSEMI(3) BL Galaxy Electrical(2) BYTES(2) CHENMKO(2) CZSTARSEA(2) DGNJDZ(2) GOOD-ARK(2)
功能分类：	不限二极管(104) 肖特基二极管(24) 整流二极管(29) 瞄准线(18) 光电二极管(5) 信号二极管(1) CD(1) 测试(1) 功效(1) PC(2)

1N5819 - 型号起始; 总记录数：266

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N5819W 中文翻译品牌: TWGMC	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:900mV 3A;通道数:独立式;
		1N5819W 中文翻译品牌: SWST	反向峰值电压（Vr）:40V;正向压降（Vf）:600mV 200mA;通道数:独立式;
		1N5819WB 中文翻译品牌: SWST	肖特基整流管
		1N5819WB 中文翻译品牌: EIC	SCHOTTKY BARRIER DIODES 肖特基势垒二极管	二极管
		1N5819WB 中文翻译品牌: SEMTECH	1 A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE 1表面贴装肖特基二极管	肖特基二极管
		1N5819WB 中文翻译品牌: KEXIN	Schottky Diodes
		1N5819WB-HAF 中文翻译品牌: SWST	肖特基整流管
		1N5819WS 中文翻译品牌: TYSEMI	For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polarity protection applications. 适用于低电压，高频率逆变器免费续流和极性保护应用。
		1N5819WS 中文翻译品牌: SUNMATE	Rectifier device Schottky Diode
		1N5819WS 中文翻译品牌: KEXIN	Schottky Barrier Diodes 肖特基势垒二极管	二极管
		1N5819WS 中文翻译品牌: TWGMC	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:900mV@3A;通道数:独立式;元器件封装:SOD-323;
		1N5819WS 中文翻译品牌: PJSEMI	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:900mV 3A;
		1N5819WS 中文翻译品牌: YFW	Marking : S4; I(AV) : 0.35; VRRM : 40; IFSM : 13; VFM : 0.6; VFM : 0.2; IRM @ VRRM : 5; Trr : 10; Package : SOD-323;
		1N5819WS 中文翻译品牌: HOTTECH	SOD-323
		1N5819WSB 中文翻译品牌: KEXIN	Schottky Diodes
		1N5819WT 中文翻译品牌: YFW	Marking : S4; I(AV) : 0.35; VRRM : 40; IFSM : 1.5; VFM : 0.6; VFM : 0.2; IRM @ VRRM : 5; Trr : 10; Package : SOD-523;
		1N5819WV 中文翻译品牌: RECTRON	Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 25 A;Forward Voltage Vf : 0.60 V;Reverse Current Ir : 1000 uA;Recovery Time :
		1N5819X 中文翻译品牌: MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon
		1N5819_08 中文翻译品牌: VISHAY	Schottky Rectifier, 1.0 A 肖特基整流器， 1.0
		1N5819_09 中文翻译品牌: UTC	SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基二极管	肖特基二极管
		1N5819_10 中文翻译品牌: MICROSEMI	1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER CHIP 1 AMP肖特基整流器芯片
		1N5819_15 中文翻译品牌: UTC	SCHOTTKY BARRIER DIODE
		1N5819_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:600mV 1A;
		1N5819_R2_10001 中文翻译品牌: PANJIT	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:600mV@1A;元器件封装:DO-41;
		1N5819散装0652 中文翻译品牌: YFW	元器件封装:DO-41;
		1N5819散装0658 中文翻译品牌: YFW	元器件封装:DO-41;

Total:266上页 1...1 2 3 4 5 6 7 89

总266条记录，每页显示30条记录分9页显示。