| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD1611
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High forward current transfer ratio hFE High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 高正向电流传输比的hFE高集电极 - 基极电压（发射极开路） VCBO |
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2SD1614
中文翻译 品牌: TYSEMI |
World standard miniature package. High dc current gain. Low VCE(sat). 世界标准的微型封装。高直流电流增益。低VCE （SAT） 。 |
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2SD1615
中文翻译 品牌: TYSEMI |
World Standard Miniature Package. Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V 世界标准小型封装。低VCE （ sat）的VCE （SAT） = 0.15 V |
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2SD1615A
中文翻译 品牌: TYSEMI |
World Standard Miniature Package. Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V 世界标准小型封装。低VCE （ sat）的VCE （SAT） = 0.15 V |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SD1618
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-to-emitter saturation voltage. Very small size making it easy to provide highdensity, 低集电极 - 发射极饱和电压。非常小的尺寸使其易于提供高密度， |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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2SD1619
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very small size making it easy to provide highdensity,small-sized hybrid ICâs. 非常小的尺寸使其易于提供高密度，小型混合ICA ????秒。 |
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2SD1620
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted. 由于低VCE少功耗（SAT） ，允许光线更加闪烁发光。 |
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2SD1621
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SD1622
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very small size making it easy to provide highdensity hybrid ICs 非常小的尺寸使其易于提供高密度混合集成电路 |
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2SD1623
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SD1624
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. 低集电极 - 发射极饱和电压。快速开关速度。 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2SD1628
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage. High hFE. Large current capacity. small-sized hybrid ICs 低饱和电压。高的hFE 。大电流的能力。小尺寸的混合集成电路 |
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2SD1664
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat) Compliments to 2SB1132 Collector-Base Voltage VCBO 40 V 低VCE （ sat）的致意2SB1132集电极 - 基极电压VCBO 40 V |
Total:131
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