| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
2SD1620
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted. 由于低VCE少功耗（SAT） ，允许光线更加闪烁发光。 |
||||
|
2SD1621
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
||||
|
2SD1622
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very small size making it easy to provide highdensity hybrid ICs 非常小的尺寸使其易于提供高密度混合集成电路 |
||||
|
2SD1623
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
||||
|
2SD1624
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. 低集电极 - 发射极饱和电压。快速开关速度。 |
晶体 开关 晶体管 | |||
|
2SD1628
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage. High hFE. Large current capacity. small-sized hybrid ICs 低饱和电压。高的hFE 。大电流的能力。小尺寸的混合集成电路 |
Total:61
总6条记录，每页显示30条记录分1页显示。