型号等于：	010VAK (1) 10A01 (1) 10A01-T (1) 10A01_1 (1) 10A02 (1) 10A02-T (1) 10A03 (1) 10A03-T (1) 10A04 (1) 10A04-T (1) 10A05 (1) 10A05-T (1) 10A06 (1) 10A06-T (1) 10A07 (1) 10A07-T (1) 13R475C (1) 13R476C (1) 15KE10A (1) 15KE11A (1) 15KE12A (1) 15KE13A (1) 15KE15A (1) 15KE16A (1) 15KE18A (1) 15KE20A (1) 15KE22A (1) 15KE24A (1) 15KE27A (1) 15KE30A (1) 15KE33A (1)
型号起始：	010VAK* (1) 1.5KE10* (28) 1.5KE11* (22) 1.5KE12* (26) 1.5KE13* (22) 1.5KE15* (26) 1.5KE16* (20) 1.5KE17* (12) 1.5KE18* (29) 1.5KE20* (28) 1.5KE22* (27) 1.5KE24* (12) 1.5KE25* (15) 1.5KE27* (12) 1.5KE30* (27) 1.5KE33* (13) 1.5KE35* (14) 1.5KE36* (11) 1.5KE39* (14) 1.5KE40* (13) 1.5KE43* (14) 1.5KE44* (4) 1.5KE47* (13) 1.5KE48* (2) 1.5KE51* (13) 1.5KE53* (2) 1.5KE54* (2) 1.5KE55* (2) 1.5KE56* (14) 1.5KE6.* (8) 1.5KE62* (13)
所属品牌：	不限 DIODES(58339)
功能分类：	不限电视(5835) 光电二极管(12377) 晶体(4393) 晶体管(5444) 二极管(5627) 机械(1349) 振荡器(1443) 稳压二极管(2626) 开关(4136) 稳压器(1283) 测试(3339) 局域网(3899) 石英晶振(1130) 压控振荡器(745) 齐纳二极管(1485) 输出元件(2240) 调节器(1588) 小信号双极晶体管(1118) 快速恢复二极管(639) 输入元件(497) 肖特基二极管(463) 瞬态抑制器(562) 整流二极管(1633) 驱动(773) 谐振器(212) 转换器(362) 变容二极管(249) 逻辑集成电路(487) 线性稳压器IC(401) 电源电路(934) 高压(531) PC(988) 小信号场效应晶体管(278) 放大器(391) 功效(958) 场效应晶体管(119) 参考电压源(202) 微处理器(190) 复位电路(171) 栅(146) 接口集成电路(309) 瞄准线(541) 传感器(265) 换能器(214) 软恢复二极管(195) 快速软恢复二极管(181) 电源开关(135) 电源管理电路(130) 脉冲(219) CD(173) 控制器(198)

DIODES - 型号起始 - 脉冲; 总记录数：241

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1.5KE6.8A 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	二极管脉冲局域网
		1.5KE6.8A-T-F 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):5.8V;最小反向击穿电压VBR(V):6.45V;最大钳位电压Vc(V):10.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):143A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-201;	脉冲
		1.5KE6.8CA 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	二极管脉冲
		1.5KE7.5A 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	二极管脉冲 IOT 局域网
		1.5KE7.5CA 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	二极管脉冲 IOT 局域网
		1.5KE8.2A 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	脉冲
		1.5KE8.2CA 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	二极管脉冲局域网
		1.5KE9.1A 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	二极管脉冲局域网
		1.5KE9.1CA 中文翻译品牌: DIODES	Glass passivated junction. 1500W Peak Pulse Power capability at 1.0 ms. 玻璃钝化结。 1500W峰值脉冲功率能力为1.0毫秒。	脉冲
		3.0SMCJ28AQ-13 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):28V;最小反向击穿电压VBR(V):31.1V;最大钳位电压Vc(V):45.4V;最大峰值脉冲电流IPP(A):66.1A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):3000W（3kW）;元器件封装:SMC;	脉冲
		3.0SMCJ30AQ-13 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):30V;最小反向击穿电压VBR(V):33.3V;最大钳位电压Vc(V):48.4V;最大峰值脉冲电流IPP(A):62A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):3000W（3kW）;元器件封装:SMC;	脉冲
		AF9575PS 中文翻译品牌: DIODES	Transistor,	开关脉冲光电二极管晶体管
		BSP120TC 中文翻译品牌: DIODES	Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	脉冲光电二极管晶体管
		D3V3L2B3LP10-7 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):3.3V（最大）;最小反向击穿电压VBR(V):3.8V;最大钳位电压Vc(V):7V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):35W;元器件封装:X2-DFN1010-3;	脉冲
		D3V3Q1B2DLP3-7 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):3.3V（最大）;最小反向击穿电压VBR(V):3.8V;最大钳位电压Vc(V):7.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):4A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):30W;元器件封装:X3-ESN0603-2;	脉冲
		D5V0H1B2LP-7B EDA模型中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):5.5V (Max);最小反向击穿电压VBR(V):6V;最大钳位电压Vc(V):12.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):30A (8/20µs);最大峰值脉冲功率Ppk(W):375W;元器件封装:0402;	脉冲
		D5V0L4B5S-7 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):5V (Max);最小反向击穿电压VBR(V):6V;最大钳位电压Vc(V):14V;最大峰值脉冲电流IPP(A):6A (8/20µs);最大峰值脉冲功率Ppk(W):84W;元器件封装:SOT-353;	脉冲
		D5V0M5B6LP16-7 EDA模型中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):5V (Max);最小反向击穿电压VBR(V):5.5V;最大钳位电压Vc(V):14V;最大峰值脉冲电流IPP(A):12A (8/20µs);最大峰值脉冲功率Ppk(W):130W;元器件封装:6-UFDFN Exposed Pad;	脉冲
		D5V0S1B2LP-7B EDA模型中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):5.5V（最大）;最小反向击穿电压VBR(V):6V;最大钳位电压Vc(V):11V;最大峰值脉冲电流IPP(A):40A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):440W;元器件封装:DFN1006-2;	脉冲
		D5V0S1U2LP-7B 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):5.5V（最大）;最小反向击穿电压VBR(V):6.2V;最大钳位电压Vc(V):13V;最大峰值脉冲电流IPP(A):40A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):500W;元器件封装:DFN1006-2;	脉冲
		DESD2CAN2SOQ-7 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):24V (Max);最小反向击穿电压VBR(V):25.4V;最大钳位电压Vc(V):41V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5A (8/20µs);最大峰值脉冲功率Ppk(W):230W;元器件封装:SOT-23-3;	脉冲
		DI9945 中文翻译品牌: DIODES	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SOP-8	开关脉冲光电二极管晶体管
		DM5W14A-13 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):14V;最小反向击穿电压VBR(V):15.6V;最大钳位电压Vc(V):23.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):155A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):3600W（3.6kW）;元器件封装:DO-218;	脉冲
		DM5W20A-13 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):20V;最小反向击穿电压VBR(V):22.2V;最大钳位电压Vc(V):32.4V;最大峰值脉冲电流IPP(A):111A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):3600W（3.6kW）;元器件封装:DO-218;	脉冲
		DM5W24A-13 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):24V;最小反向击穿电压VBR(V):26.7V;最大钳位电压Vc(V):38.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):93A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):3600W（3.6kW）;元器件封装:DO-218;	脉冲
		DM6W12A-13 中文翻译品牌: DIODES	反向峰值电压VRWM(V):12V;最小反向击穿电压VBR(V):13.3V;最大钳位电压Vc(V):19.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):231A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):4600W（4.6kW）;元器件封装:DO-218;	脉冲
		DMC3032LSD-13 中文翻译品牌: DIODES	Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, S	开关脉冲光电二极管晶体管
		DMC4028SSD-13 EDA模型中文翻译品牌: DIODES	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 40V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, S	开关脉冲光电二极管晶体管
		DMG2305UX-13 EDA模型中文翻译品牌: DIODES	Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	开关脉冲光电二极管晶体管
		DMG4466SSSL-13 中文翻译品牌: DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N沟道增强型MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管

Total:24112 3 4 5 6 7 8 9...9 下页

总241条记录，每页显示30条记录分9页显示。

DIODES是什么品牌：Diodes 公司是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商，服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。