| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BC858BWT1
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) 通用晶体管（ PNP硅） |
晶体 晶体管 | ||
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BC858BWT1
中文翻译 品牌: LRC |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) 通用晶体管（ PNP硅） |
晶体 晶体管 | |||
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BC858BWT106
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):650mV @ 5mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):250MHz;元器件封装:SOT-323; | |||
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BC858BWT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
PNP Bipolar Transistor | 放大器 光电二极管 小信号双极晶体管 | ||
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BC858BWT3
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | ||||
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BC858BW_05
中文翻译 品牌: ROHM |
PNP General Purpose Transistor PNP通用晶体管 |
晶体 晶体管 |