品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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EM564161BA-70E
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BA-85
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BA-85E
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BC-55
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BC-55E
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BC-70
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BC-70E
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161BC-85
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564161_04
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564166
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564166BC-70
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564166BC-70E
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564166BC-85
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM564166BC-85E
中文翻译 品牌: ETRON |
256K x 16 Low Power SRAM 256K ×16低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161BA-55
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161BA-55E
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161BA-70
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161BA-70E
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161BJ-55
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565161BJ-70
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Low Power SRAM 512K ×16的低功耗SRAM |
静态存储器 | |||
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EM565168
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Pseudo SRAM 512K ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM565168BC-55/55G
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Pseudo SRAM 512K ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM565168BC-70/70G
中文翻译 品牌: ETRON |
512K x 16 Pseudo SRAM 512K ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM566168
中文翻译 品牌: ETRON |
1M x 16 Pseudo SRAM 1M ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM566169BC
中文翻译 品牌: ETRON |
1M x 16 Pseudo SRAM 1M ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM566169BC-60
中文翻译 品牌: ETRON |
1M x 16 Pseudo SRAM 1M ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM566169BC-65
中文翻译 品牌: ETRON |
1M x 16 Pseudo SRAM 1M ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM566169BC-70
中文翻译 品牌: ETRON |
1M x 16 Pseudo SRAM 1M ×16的SRAM伪 |
静态存储器 | |||
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EM566169BC-85
中文翻译 品牌: ETRON |
1M x 16 Pseudo SRAM 1M ×16的SRAM伪 |
静态存储器 |
ETRON是什么品牌:钰创科技股份有限公司 ( 简称:钰创科技, OTC 代号: 5351) 为一世界级 IC 无晶圆厂商 (Fabless) ,专注于利基型缓冲存储器产品 (Application-Driven Buffer Memory) 与系统芯片 (System-In-Package) 之设计与产销。 该公司于 1991 年 2 月成立 于新竹科学园区 ,率先投入 VLSI 内存开发工作,承揽国家级「次微米计划」设计工程, 开发 8 吋晶圆次微米技术, 为台湾 DRAM 、 SRAM 产业之蓬勃发展奠定深厚基础。 钰创充分发挥立足台湾,善用位于泛太平洋中心的地理位置,强调质量领军与技术服务之营销策略,赢取许多国际领袖级客户长期稳定合作关系。