型号等于:2SC838 (1) EL7300 (1) EL7301 (1) EL8323 (1) EL8332 (1) OLS700 (1)
型号起始:2SC838* (1) EL7300* (4) EL7301* (4) EL8323* (2) EL8332* (2) EM5620* (3) EM5621* (3) EM5640* (9) EM5641* (16) EM5651* (10) EM5661* (6) EM5671* (6) EM5841* (7) EM6361* (37) EM6363* (15) EM6373* (9) EM6381* (18) EM6383* (7) EM6391* (10) EM6393* (6) EM63A1* (9) EM63B1* (6) EM6581* (8) EM6693* (8) EM6891* (7) EM6893* (6) EM68A1* (6) EM68B0* (6) EM68B1* (9) EM68B3* (3) EM68C0* (9)
所属品牌:不限 ETRON(353)
功能分类:不限 动态存储器(264) 双倍数据速率(144) 静态存储器(60) 内存集成电路(39) 时钟(20) 光电二极管(21) CD(4) 晶体(1) 放大器(1) 晶体管(1) 谐振器(1) 风机(1) 传感器(1) 电机(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
EM658160TS-35
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM658160TS-4
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM658160TS-5
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 双倍数据速率 时钟
EM658160TS-6
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM658160TS-7
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM658160TS-8
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 双倍数据速率 时钟
EM669325
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM669325BG-1H/LG
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM669325BG-7.5G
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM669325BG-8G
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM66932A
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Hand-Held Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32手持式低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM66932ABG-1H/LG
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Hand-Held Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32手持式低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM66932ABG-7.5G
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Hand-Held Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32手持式低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM66932ABG-8G
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Hand-Held Low Power SDRAM (LPSDRAM)
4M ×32手持式低功耗SDRAM ( LPSDRAM )
动态存储器
EM68916CBQD
中文翻译 品牌: ETRON
Density : 128Mb; Organization : 8Mx16; Grade : Commercial Temp.; Speed : 1066/800/667; Vdd Interface : 1.8V, SSTL_18; Package : 84-ball FBGA (BQ:8x12.
EM68916CWQA
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16位DDRII同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68916CWQA-25H
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16位DDRII同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68916CWQA-37H
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16位DDRII同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68916CWQA-3H
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16位DDRII同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68916DVAA
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16的移动DDR同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68916DVAA-6H
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16的移动DDR同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68916DVAA-75H
中文翻译 品牌: ETRON
8M x 16 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
8M ×16的移动DDR同步DRAM ( SDRAM )
动态存储器 双倍数据速率
EM68932DVKA
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM68932DVKA-6H
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM68932DVKA-75H
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM68932DVKB
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM68932DVKB-6H
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM68932DVKB-75H
中文翻译 品牌: ETRON
4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的
动态存储器 双倍数据速率
EM68A16CBQC
中文翻译 品牌: ETRON
Density : 256Mb; Organization : 16Mx16; Grade : Commercial Temp.; Speed : 1066/800/667; Vdd Interface : 1.8V, SSTL_18; Package : 84-ball FBGA (BQ:8x12
EM68A16CBQC-18H
中文翻译 品牌: ETRON
16M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM) 动态存储器 双倍数据速率
Total:3001...12345678910
总300+条记录,每页显示30条记录分10页显示。
ETRON是什么品牌:钰创科技股份有限公司 ( 简称:钰创科技, OTC 代号: 5351) 为一世界级 IC 无晶圆厂商 (Fabless) ,专注于利基型缓冲存储器产品 (Application-Driven Buffer Memory) 与系统芯片 (System-In-Package) 之设计与产销。 该公司于 1991 年 2 月成立 于新竹科学园区 ,率先投入 VLSI 内存开发工作,承揽国家级「次微米计划」设计工程, 开发 8 吋晶圆次微米技术, 为台湾 DRAM 、 SRAM 产业之蓬勃发展奠定深厚基础。 钰创充分发挥立足台湾,善用位于泛太平洋中心的地理位置,强调质量领军与技术服务之营销策略,赢取许多国际领袖级客户长期稳定合作关系。