型号等于：	MR0A08B (1) MR0D08B (1) MR0DL08B (1) MR10Q010 (1) MR1A16A (1) MR20H40 (1) MR256A08B (1) MR256D08B (1) MR25H10 (1) MR25H128A (1) MR25H256 (1) MR25H256A (1) MR25H40 (1) MR25H40DF (1) MR2A08A (1) MR3A16A (1) MR4A08B (1) MR4A16B (1) MR5A16A (1)
型号起始：	EMD3D256M* (6) MR0A08B* (1) MR0A08BCM* (2) MR0A08BCS* (2) MR0A08BCY* (2) MR0A08BMA* (2) MR0A08BSO* (2) MR0A08BYS* (2) MR0A16ACM* (2) MR0A16ACY* (2) MR0A16AMA* (2) MR0A16AMY* (2) MR0A16AVM* (2) MR0A16AVY* (2) MR0A16AYS* (2) MR0D08B* (1) MR0D08BMA* (2) MR0DL08B* (1) MR0DL08BM* (2) MR10Q010* (1) MR10Q010C* (4) MR10Q010M* (2) MR10Q010S* (2) MR10Q010V* (4) MR1A16A* (1) MR1A16ACM* (2) MR1A16ACY* (2) MR1A16AMA* (2) MR1A16AMY* (2) MR1A16AVM* (2) MR1A16AVY* (2)
所属品牌：	不限 EVERSPIN(197)
功能分类：	不限静态存储器(77) 光电二极管(68) 内存集成电路(105) 双倍数据速率(6) 可编程只读存储器(6) 电动程控只读存储器(6) 电可擦编程只读存储器(6) PC(2)

EVERSPIN - 型号起始; 总记录数：197

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		EMD3D256M08BS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M08G1-150CBS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M08G1-150CBS1R 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M16BS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M16G2-150CBS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M16G2-150CBS1R 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		MR0A08B 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM
		MR0A08BCMA35 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器内存集成电路
		MR0A08BCMA35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器内存集成电路
		MR0A08BCSO35 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BCSO35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BCYS35 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BCYS35R EDA模型中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BMA35 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器内存集成电路
		MR0A08BMA35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器内存集成电路
		MR0A08BSO35 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BSO35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BYS35 EDA模型中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A08BYS35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	128K x 8 MRAM	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A16ACMA35 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器内存集成电路
		MR0A16ACMA35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器内存集成电路
		MR0A16ACYS35 EDA模型中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A16ACYS35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器光电二极管内存集成电路
		MR0A16AMA35 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器内存集成电路
		MR0A16AMA35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory
		MR0A16AMYS35 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	光电二极管内存集成电路
		MR0A16AMYS35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory
		MR0A16AVMA35 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器内存集成电路
		MR0A16AVMA35R 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器内存集成电路
		MR0A16AVYS35 中文翻译品牌: EVERSPIN	64K x 16 MRAM Memory	静态存储器光电二极管内存集成电路

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EVERSPIN是什么品牌：EverSpin Technologies, Inc.总部设在亚利桑那州Chandler的Everspin技术公司是全球领先的设计、制造和商业运输离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的市场和应用领域，数据持久性和完整性，低延时，安全是最重要的。拥有超过7000万MRAM和ST-MRAM产品部署在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场，Everspin公司建立了最强和增长最快的基础上的MRAM用户在世界上。