品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1MBC10D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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1MBC15-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBC15-060_01
中文翻译 品牌: FUJI |
600V / 15A Molded Package 600V / 15A塑模封装 |
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1MBG05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | |||
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1MBG10D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
双极性晶体管 | |||
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1MBH03D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characterisitcs Fuji IGBT 评级和characterisitcs富士IGBT |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH03D-120-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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1MBH05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH05D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBH05D-120-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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1MBH08D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
双极性晶体管 | ||
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1MBH08D-120_09
中文翻译 品牌: FUJI |
1200V / 8A Molded Package 1200V / 8A塑模封装 |
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1MBH10D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBH10D-060-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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1MBH10D-060_0409
中文翻译 品牌: FUJI |
600V / 10A Molded Package 600V / 10A塑模封装 |
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1MBH10D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBH10D-120-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | 栅 | |||
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1MBH10D-120_09
中文翻译 品牌: FUJI |
1200V / 10A Molded Package 1200V / 10A塑模封装 |
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1MBH15-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
双极性晶体管 | ||
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1MBH15-120_01
中文翻译 品牌: FUJI |
Molded IGBT IGBT模 |
双极性晶体管 | |||
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1MBH15D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
600V / 15A Molded Package 600V / 15A塑模封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBH15D-060_04
中文翻译 品牌: FUJI |
600V / 15A Molded Package 600V / 15A塑模封装 |
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1MBH15D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBH15D-120S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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1MBH20D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
600V / 20A Molded Package 600V / 20A塑模封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH20D-060-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 晶体管 | |||
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1MBH25-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBH25-120_01
中文翻译 品牌: FUJI |
1200V / 25A Molded Package 1200V / 25A塑模封装 |
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1MBH25D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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1MBH30D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 |
FUJI是什么品牌:富士电机自1923年成立以来,在这100年的漫长历史中,不断革新能源和环境技术,在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久,可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中,在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时,我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模,每年保持快速增长的中国,也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机(中国)依托创业以来积累的技术和经验,追求电力、热能技术的革新,通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品,为中国社会的发展贡献自身的力量。