型号等于：	240R (1) 27C1028 (1) 29F002 (1) 29F800 (1) 29LV650 (1) 2SA1041 (1) 2SA1042 (1) 2SA1072 (1) 2SA1073 (1) 2SA1075 (1) 2SA1077 (1) 2SA1078 (1) 2SC2028 (1) 2SC2356 (1) 2SC2429 (1) 2SC2429A (1) 2SC2433 (1) 2SC2434 (1) 2SC2525 (1) 2SC2526 (1) 2SC2527 (1) 2SC2528 (1) 2SC2920 (1) 2SC2964 (1) 2SC2965 (1) 2SC3059 (1) 2SC3060 (1) 2SC3061 (1) 2SC3178 (1) 2SC3847 (1) 2SC3947 (1)
型号起始：	10AEM409* (1) 1MBI1000* (1) 1MBI300S* (1) 240R* (1) 27C1028* (1) 29F002* (1) 29F800* (1) 29LV160B* (1) 29LV650* (1) 29LV800B* (1) 29LV800T* (1) 2MBI1200* (1) 2MBI800V* (1) 2SA1041* (1) 2SA1042* (1) 2SA1072* (1) 2SA1073* (1) 2SA1075* (1) 2SA1077* (1) 2SA1078* (1) 2SC2028* (1) 2SC2028/* (1) 2SC2356* (1) 2SC2429* (1) 2SC2429A* (1) 2SC2433* (1) 2SC2434* (1) 2SC2525* (1) 2SC2526* (1) 2SC2527* (1) 2SC2528* (1)
所属品牌：	不限 FUJITSU(25414)
功能分类：	不限微控制器(2787) 继电器(8124) 功率继电器(3318) 光电二极管(5620) 光电(822) 微控制器和处理器(1081) 外围集成电路(1702) 时钟(1637) 开关(710) PC(1116) LTE(628) 信号继电器(1188) 动态存储器(986) 内存集成电路(2369) 连接器(424) 谐振器(544) 存储(729) 闪存(522) SAW 滤波器(264) 过滤器(287) 静态存储器(818) 晶体(397) 高功率电源(272) 转换器(362) 电视(267) 时钟发生器(175) 固态继电器(169) OTP只读存储器(258) CD(421) 可编程只读存储器(373) 输出元件(258) 石英晶体(46) ISM频段(94) 分离技术(73) 隔离技术(73) 稳压器(85) 控制器(95) 手机(70) 驱动(73) 功率控制(134) 预分频器(56) 信息通信管理(124) 移动电话(38) 计算机(57) 放大器(99) 电容器(27) 显示控制器(32) 局域网(93) 晶体管(127) 电动程控只读存储器(83) 有原始数据的样本ROM(51)

FUJITSU - 型号起始 - 放大器; 总记录数：165

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		FHR02X 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE	放大器晶体管
		FHX04LG 中文翻译品牌: FUJITSU	Super Low Noise HEMT 超低噪声HEMT	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
		FHX04LP 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4	放大器晶体管
		FHX05LG 中文翻译品牌: FUJITSU	Super Low Noise HEMT 超低噪声HEMT	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
		FHX06LG 中文翻译品牌: FUJITSU	Super Low Noise HEMT 超低噪声HEMT	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
		FHX06LP 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4	放大器晶体管
		FHX13LG 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC,	放大器晶体管
		FHX14LG 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC,	放大器晶体管
		FHX14LP 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4	放大器晶体管
		FHX35LG/002 中文翻译品牌: FUJITSU	Low Noise HEMT 低噪声HEMT	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
		FHX35X/002 中文翻译品牌: FUJITSU	Low Noise HEMT 低噪声HEMT	晶体晶体管放大器
		FLL101ME 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE ME, 3 PIN	局域网放大器晶体管
		FLL1200IU-2 中文翻译品牌: FUJITSU	L-Band Medium & High Power GaAs FET L波段中等和高功率GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		FLL1200IU-2A 中文翻译品牌: FUJITSU	暂无描述	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		FLL1500IU-2A 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET	局域网放大器晶体管
		FLL177ME 中文翻译品牌: FUJITSU	L-BAND MEDIUM & HIGH POWER GAAS FET L波段中等和高功率GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网高功率电源
		FLL2400IU-2C 中文翻译品牌: FUJITSU	L-Band High Power GaAs FET L波段高功率GaAs FET	晶体晶体管放大器局域网
		FLL310IQ-3 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET,	局域网放大器晶体管
		FLL410IK-4C 中文翻译品牌: FUJITSU	L-Band High Power GaAs FET L波段高功率GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		FLL55MK 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2	局域网放大器晶体管
		FLL600IQ-2 中文翻译品牌: FUJITSU	Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation 推挽式配置，较宽的频率范围： 800〜 2000兆赫，适用于AB类操作	晶体晶体管放大器局域网
		FLL800IQ-2C 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, CASE IQ, 5 PIN	局域网放大器晶体管
		FLM2527L-20 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2	局域网放大器晶体管
		FLM3439-12F 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 3 PIN	局域网放大器晶体管
		FLM6472-4F 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 3 PIN	局域网放大器晶体管
		FLU17ZM 中文翻译品牌: FUJITSU	L-Band Medium & High Power GaAs FET L波段中等和高功率GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		FLX107MH-12 中文翻译品牌: FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE MH, 4 PIN	局域网放大器晶体管
		FMC141401-02 中文翻译品牌: FUJITSU	RF/Microwave Amplifier, GAAS,
		FMC1414P1-02 中文翻译品牌: FUJITSU	RF/Microwave Amplifier, GAAS,
		FMC181901-01 中文翻译品牌: FUJITSU	Wide Band Medium Power Amplifier, 18700MHz Min, 19700MHz Max,	射频微波

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FUJITSU是什么品牌：Fujitsu（富士通）是世界领先的日本信息通信技术（ICT）企业，提供着全方位的技术产品、解决方案和服务。在全球拥有约17万名员工，客户遍布世界100多个国家。我们凭借在ICT领域的丰富经验和实力，致力于与客户携手共创美好的未来社会。富士通集团（东京证券交易所上市代码：6702）截至2013年3月31日财政年度的合并收益为4.4兆日元（470亿美元）。