品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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HY029N10B
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为80V、6.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 | |||
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HY029N10B6
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为80V、6.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 | |||
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HY030N06C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 65V、2.4mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 光电二极管 | |||
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HY030N06P
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 65V、2.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 | |||
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HY045N10B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HY045N10P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HY050N08P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HY060N08B
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY060N08M
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY060N08MF
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY060N08P
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY0810S
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:8-SOIC; | ||||
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HY0910D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HY1001D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为70V、7.4mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 | |||
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HY1001P
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HY1103S
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:8-SOIC; | ||||
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HY1210D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HY12P03S
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 P 沟道、-30V耐压、10.8mΩ内阻、SOP8L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板等应用领域... | 电池 开关 | |||
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HY1303C
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、30V耐压、4.2mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/负... | 电池 开关 电机 驱动 | |||
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HY1306D
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1306U
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1306V
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1310D
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1310U
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1310V
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1403D
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1403U
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1403V
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HY1404S
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为40V、13mΩ、SOP8L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域 | 电池 | |||
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HY1503C1
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、30V耐压、7.1mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/负... | 电池 开关 电机 驱动 |
HUAYI是什么品牌:华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46%的股权。