品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA1575
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High fT. High breakdown voltage. Adoption of FBET process. 高英尺。高击穿电压。采用FBET过程。 |
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2SA1576A
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Excellent hFE linearity. Collector-base voltage VCBO -60 V 优秀的hFE线性度。集电极 - 基极电压VCBO -60 V |
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2SA1577
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Large IC.ICMAX. = -500mA Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 大IC.ICMAX 。 = -500mA低VCE (SAT) 。非常适用于低电压操作。 |
晶体 晶体管 光电二极管 信息通信管理 | |||
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2SA1579
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage.Collector-base voltage VCBO -120 V 高击穿voltage.Collector - 基极电压VCBO -120 V |
晶体 晶体管 光电二极管 |
Total:41
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