型号起始：	2SA17* (895) 2SA170* (84) 2SA171* (28) 2SA172* (89) 2SA173* (86) 2SA174* (132) 2SA175* (75) 2SA176* (46) 2SA177* (153) 2SA178* (88) 2SA179* (114)
所属品牌：	不限 ROHM(240) ETC(143) UTC(75) ONSEMI(60) SANYO(53) NEC(41) RENESAS(40) PANASONIC(38) KEXIN(35) TOSHIBA(31) ISC(17) TYSEMI(17) MCC(13) JMNIC(10) SAVANTIC(10) SANKEN(9) NJSEMI(6) SECOS(6) SWST(5) WINNERJOIN(5) BL Galaxy Electrical(4) FOSHAN(4) JCST(4) WEITRON(4) CJ(3) TRSYS(3) YANGJIE(3) CHENMKO(2) HITACHI(2) HOTTECH(2) LGE(2)
功能分类：	不限晶体(5) 晶体管(5) 开关(7) 放大器(0) 光电二极管(1) 局域网(0) 驱动器(0) 高压(0) 功率双极晶体管(0) 小信号双极晶体管(0) 电话(0) 电源开关(0) 功率放大器(0) 射频小信号双极晶体管(0) 电视(0) PC(0) 显示器(0) 双极型晶体管(0) 振荡器(0) 转换器(0) 电子(0) 驱动(0) 闪光灯(0) 稳压器(0)

2SA17 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：17

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SA1724 中文翻译品牌: TYSEMI	High fT (fT = 1.5GHz typ). High Current (IC = 300mA). Adoption of FBET process. 高英尺（ FT = 1.5GHz的典型值）。高电流（ IC = 300毫安）。采用FBET过程。
		2SA1729 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Process. Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. 采用FBET ， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关
		2SA1730 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET , MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。
		2SA1734 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage: VCE( = -0.5 V (max) (IC = -700 mA).Small flat package. 低饱和电压VCE （ = -0.5 V（最大值）（ IC = -700毫安）。小扁平封装。	晶体晶体管开关
		2SA1735 中文翻译品牌: TYSEMI	Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -500mA) Small Flat Package 低饱和电压： VCE （SAT） = -0.5V （最大值）（ IC = -500mA ）小型扁平封装	晶体晶体管开关
		2SA1736 中文翻译品牌: TYSEMI	Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -1.5A) Small Flat Package 低饱和电压： VCE （SAT） = -0.5V （最大值）（ IC = -1.5A ）小型扁平封装	晶体晶体管开关
		2SA1738 中文翻译品牌: TYSEMI	High-speed switch Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 高速开关低集电极到发射极饱和电压VCE （SAT）。	开关
		2SA1739 中文翻译品牌: TYSEMI	High speed switching. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). 高速开关。低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT）。	晶体开关晶体管光电二极管
		2SA1740 中文翻译品牌: TYSEMI	High Breakdown Voltage Adoption of MBIT Process Excellent hFE Linearlity. 高击穿电压通过MBIT工艺优秀的hFE Linearlity的。	晶体晶体管放大器
		2SA1745 中文翻译品牌: TYSEMI	Very small-sized package. Low collector-to-emitter saturation voltage. 非常小尺寸的封装。低集电极 - 发射极饱和电压。
		2SA1748 中文翻译品牌: TYSEMI	High transition frequency fT. Small collector output capacitance Cob. 高转换频率fT的。小集电极输出电容科夫。	晶体晶体管光电二极管放大器
		2SA1759 中文翻译品牌: TYSEMI	High breakdown voltage Low saturation voltage High switching speed 高击穿电压低饱和电压高开关速度	开关
		2SA1766 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。
		2SA1772 中文翻译品牌: TYSEMI	High breadown voltage Large current capacity (IC=1A) 高breadown电压大电流能力（ IC = 1A ）
		2SA1773 中文翻译品牌: TYSEMI	High breadown voltage Large current capacity (IC=2A) 高breadown电压大电流能力（ IC = 2A ）
		2SA1774 中文翻译品牌: TYSEMI	Excellent hFE linearity. PNP silicon transistor 优秀的hFE线性度。 PNP硅晶体管	晶体晶体管光电二极管
		2SA1797 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. VCE(sat)=-0.35V(Max.) at IC / IB=-1A/-50mA. 低饱和电压。 VCE （SAT） = - 0.35V （最大）的IC / IB = -1A / -50mA 。	晶体晶体管

Total:171

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